高盛研报解读:中国半导体数量自给率升至70%,2030年资本开支目标820亿美元

marsbit發佈於 2026-08-24更新於 2026-08-24

文章摘要

高盛发布报告指出,中国半导体IC数量自给率已从2010年的38%提升至2026年6月的70%,但价值自给率仍有缺口,核心瓶颈在于光刻设备。报告将2030年中国半导体资本开支预测大幅上调79%至820亿美元,以反映自给率提升、AI发展及客户本地化策略带来的需求。 报告预测,中国先进逻辑制程供需缺口将加速收窄,7nm及以下晶圆供给增速将远超需求,缺口从2025年的92%降至2035年的34%。AI芯片与DRAM市场增长强劲,预计2030年中国AI芯片市场规模可达6780亿美元,2028年DRAM市场将达2570亿美元,其中HBM需求增长显著。 长鑫存储作为中国主要DRAM制造商,被首次覆盖并获“买入”评级,目标价129元。其产能和资本开支将持续扩张,有望在常规DRAM和HBM市场占据重要份额,受益于AI需求与供应链本土化趋势。 设备方面,国产化率稳步提升,但先进制程仍依赖国际供应商。日本设备商持续受益于中国市场,而美国供应商受出口管制影响,其中国收入占比预计维持稳定。 报告总结,中国半导体产业正从“量的扩张”转向“质的突破”,资本开支上修、先进制程缺口收窄及AI需求爆发是主要驱动力,设备国产化、存储龙头崛起和AI算力基建是核心方向。

撰文:Rita

中国半导体产业的“量”已经追了上来,但“质”的缺口依然巨大。

高盛8月24日发布“芯片法案”系列第四份年度报告指出,截至2026年6月,中国半导体IC数量自给率已达70%,较2010年1月的38%提升了近一倍。价值自给率的缺口依然巨大,核心瓶颈在于光刻设备的缺失。高盛将2030年中国半导体资本开支预测上调至820亿美元,较此前预测提高79%,以捕捉自给率提升、生成式AI和客户“本地化”策略带来的需求增长。报告首次覆盖中国DRAM龙头长鑫存储,给予买入评级,目标价129元。

资本开支大幅上修,先进制程缺口加速收窄

高盛预计中国半导体资本开支在2026至2030年将保持10%至15%的年增速,2030年达到820亿美元。晶圆前端设备支出在2026至2028年分别增长13%、20%和15%,主要来自存储和先进制程的投资。

先进逻辑制程的供需缺口正在加速收窄。高盛模型显示,中国7nm及以下晶圆需求从2025年到2035年的年复合增长率为17%,2035年将达到61.9万片/月,主要由AI服务器需求驱动。同期AI服务器晶圆需求的年复合增长率高达42%。供给端的增长更快,7nm及以下晶圆供给从2025年到2035年的年复合增长率为46%,2035年达到41万片/月,主要受益于中芯国际每年新增3万至5万片/月的产能扩张,以及良率从2026年的23%逐步提升至2035年的75%。供需缺口将从2025年的92%缩窄至2035年的34%。

AI芯片与DRAM市场增长强劲,6780亿美元与2570亿美元可期

高盛首次发布中国AI芯片和DRAM市场的总可寻址市场测算。基准情景下,中国AI芯片市场规模在2030年将达到6780亿美元,2025至2030年的年复合增长率为69%。这一规模对应2700万颗H800等效AI芯片的出货量,以及32GW的IT电力需求。若采用更乐观的情景,AI芯片市场可达4.1万亿美元,对应2.38亿颗芯片和196GW电力需求。

中国DRAM市场同样在快速扩张。高盛预计2026至2028年中国DRAM市场年复合增长率为50%,2028年将达到2570亿美元。其中HBM的年复合增长率为188%,2028年达到320亿美元,这反映了AI推理和训练对高带宽内存的强劲需求。

长鑫存储正在成为中国DRAM市场的核心供给方。高盛预计其产能将从2026年的27万片/月增长至2028年的44.7万片/月,到2030年较2026年翻倍以上至66.5万片/月。2026至2030年平均年资本开支将从2024至2025年的600亿元提升至840亿元(约120亿美元)。长鑫存储的常规DRAM供给有望在2028年达到三星和SK海力士的41%和50%,2025年这一比例分别为28%和35%。HBM方面,高盛预计长鑫存储的HBM收入在2026至2030年的年复合增长率为166%。

设备国产替代加速,全球供应商仍是关键

中国半导体设备国产化率正在稳步提升。高盛预计2026至2028年中国本土设备厂商在国内WFE市场中的收入占比将从31%提升至38%。沉积、刻蚀和光刻是WFE市场中最大的三个品类,2027年中国WFE市场将达到530亿美元。

日本设备供应商继续受益于中国市场扩张。东京电子、SCREEN、国际电气和荏原四家日本前道设备公司的中国收入在2025财年合计达1.21万亿日元,占其半导体设备收入的35%。这一比例较2024财年的41%有所下降,四家公司均预计其中国收入在绝对金额上将持续增长。中国晶圆厂在向更先进节点迈进的过程中,更依赖于非中国设备供应商以确保良率。

美国设备供应商面临出口管制压力,高盛认为其中国出货量将维持在营收的25%左右。高盛对全球设备股保持看多,WFE在2026年和2027年分别增长36%和45%,刻蚀和沉积设备受益于环绕栅极晶体管、3D NAND和先进封装的扩张。美国覆盖中优先推荐应用材料、泛林半导体和Onto Innovation。

长鑫存储受益于稀缺性与AI需求双重驱动

长鑫存储是中国唯一实现大规模量产的DRAM IDM企业,覆盖DRAM芯片的设计与制造,服务于国内主要云服务商和消费电子品牌。高盛预计其净利润在2026至2030年的年复合增长率为47%。

增长动力来自两方面:中国AI基础设施扩张推动服务器DRAM和HBM需求;消费电子客户为保障供应安全而分散供应商网络。高盛预计长鑫存储的常规DRAM在2026至2030年的年复合增长率为34%。

129元目标价基于2030年贴现市盈率法,目标市盈率16.6倍,贴现回2027年。这一估值隐含2027年市盈率24倍,对应2027至2028年平均每股收益增长77%,PEG为0.31倍,显著低于寒武纪、矽力杰和中微公司的1.12倍、1.46倍和2.21倍。高盛认为,长鑫存储的稀缺性、产品组合升级和AI需求使其估值具有吸引力。

下行风险包括市场竞争加剧、终端需求不及预期,以及地缘政治的不确定性。

中国半导体产业正处于“量的扩张”转向“质的突破”的关键阶段。资本开支大幅上修、先进制程供需缺口持续收窄、AI芯片和HBM需求爆发三条主线交织,共同推动产业链价值重估。设备国产替代、存储龙头崛起和AI算力基建,构成三个确定性强的主要方向。

免责声明

本文系潮向研究对第三方券商研究报告(高盛,2026年8月24日)的整理与解读,结合公开市场信息的整理。文中引述的评级、目标价、盈利预测及相关判断,均为该券商分析师的观点,仅代表其所属机构立场,不代表潮向研究的观点,也不构成任何投资建议。

市场有风险,决策需独立。本文不应作为买卖任何证券的依据。

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Q根据高盛报告,中国半导体IC数量自给率目前达到多少?相比2010年提升了多少?

A截至2026年6月,中国半导体IC数量自给率已达70%,相比2010年1月的38%提升了近一倍。

Q高盛预测2030年中国半导体资本开支将达到多少美元?与之前预测相比如何?

A高盛预测2030年中国半导体资本开支将达到820亿美元,较此前预测提高了79%。

Q高盛报告首次覆盖并给予买入评级的是哪家中国DRAM龙头公司?其目标价是多少?

A高盛报告首次覆盖中国DRAM龙头长鑫存储,给予买入评级,目标价为129元。

Q高盛预计中国AI芯片市场规模在2030年的基准情景下将达到多少美元?年复合增长率是多少?

A基准情景下,高盛预计中国AI芯片市场规模在2030年将达到6780亿美元,2025至2030年的年复合增长率为69%。

Q高盛认为长鑫存储的增长动力主要来自哪两个方面?

A高盛认为长鑫存储的增长动力主要来自两方面:一是中国AI基础设施扩张推动服务器DRAM和HBM需求;二是消费电子客户为保障供应安全而分散供应商网络。

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