美银研报解读:存储超级周期延续至 2027 年,三星或将启动大规模回购与特别股息

marsbit发布于2026-08-10更新于2026-08-10

文章摘要

美银证券最新研报指出,全球存储芯片超级周期预计将延续至2027年。报告大幅上调了DRAM和NAND行业的销售额预测,其中2026年DRAM销售额预计达5730亿美元,2027年进一步增至8470亿美元。HBM(高带宽存储器)需求是核心驱动力,其市场规模及价格在未来几年将显著增长。 近期NAND现货价格出现意外强劲反弹,远超季节性规律;DRAM价格也同步走高。行业供给持续偏紧。 报告重点提及,三星电子预计将启动大规模的股东回报计划,可能包括超过30万亿韩元的特别股息和超过40万亿韩元的股份回购。SK海力士也有望加大股东回报力度。 美银认为,存储周期正从价格驱动转向量与价共同驱动,AI服务器等结构性需求将支撑行业长期盈利,当前的行业高景气度有望持续。

撰文:Rita

存储芯片的超级周期仍在延续。美银证券在 8月 7 日发布的全球存储科技周报中,将 2026 年全球 DRAM 行业销售额预测上调至 5730 亿美元,2027 年进一步增至 8470 亿美元,2028 年达 9170 亿美元。尽管 SK 海力士二季度 DRAM ASP 环比仅上涨 30%,低于同业 45%至 70%的涨幅,但三季度有望迎来 25%的快速回升,HBM4 出货量也将更显著。NAND 现货价格本周意外强劲反弹,512Gb 至1Tb 产品上涨 5%至 6%,256Gb 产品涨幅超 10%,远超季节性规律。美银认为,三星即将宣布以回购和特别股息形式向股东返还大量现金,预计特别股息规模超 30 万亿韩元,回购规模超 40 万亿韩元。

存储超级周期持续至 2027 年,四季度 ASP 将再次上修

美银更新了全球存储行业预测模型。2026 年全球 DRAM 行业销售额预计达 5730 亿美元,同比增长 328%,2027 年达 8470 亿美元,增长 48%,2028 年小幅回落至 9170 亿美元,下降约 8%。NAND 行业 2026 年销售额预计达 3575 亿美元,同比增长 341%,2027 年达 4675 亿美元,增长 31%,2028 年下降约 14%。

价格路径方面,美银预计四季度行业平均 DRAM ASP 将环比上涨 8%,NAND 上涨 3%,随后在 2027 年保持稳定或温和修正。但 2027 年全年 ASP 均值仍高于 2026 年,因上半年基数较低。2028年 ASP 下降将是温和修正而非硬着陆,行业仍将维持较高的利润率水平。DRAM 位元增速 2026 年预计为 25%,2027年 19%,2028年 19%;NAND 位元增速分别为 20%、19%、19%。

HBM 需求是支撑超级周期的核心。美银预计 2026年 HBM 市场规模将达 774 亿美元,同比增长 124%,2027 年进一步增至 1528 亿美元,增长 98%。HBM在 DRAM 总出货量中的占比将从 2025 年的 8.5%升至 2026 年的 11.7%,2027 年达 14.1%。HBM ASP 在2026 年预计上涨 30%至每 GB 14.6 美元,2027 年上涨 38%至 20.2 美元。美银预计 SK 海力士在 HBM 出货量上维持领先,但三星在 HBM 晶圆产能上的份额有望在 2026至 2027 年追平甚至超越。

NAND 现货意外强劲反弹,DRAM 同步走高

本周 NAND 现货价格表现超出预期。512Gb 至1Tb 产品上涨 5%至 6%,256Gb 产品上涨超 10%,美银认为这与二三级 OEM 厂商为 9 月和四季度旺季备货新机型有关。DRAM 现货价格也进一步反弹,环比上涨 1%至 2%,对应季度涨幅约 20%至 40%。整体而言,现货价格表现好于季节性规律,传统 DRAM和 NAND 的供给仍然偏紧。

南亚科 7 月营收达 440 亿新台币,环比增长 49%,同比增长 720%。韩国半导体 7 月出口额 420 亿美元,环比下降 9%,但同比仍强劲增长 179%。美银存储指标 6 月读数 183,仍处于历史高位附近,远高于景气中周期(100)和上周期(130)水平。

三星启动大规模资本回报,HBM 产能持续扩张

三星电子预计将在近期公布回购和现金分红的更多细节。根据 CFO 在7月 30 日财报电话会上的表述,三星将使用 2024至 2026 年自由现金流的 50%(扣除每年已支付的 10 万亿韩元股息)用于股东回报。美银认为执行方案可能包括:三季度或四季度派发超 30 万亿韩元的特别股息,2027 年上半年启动超 40 万亿韩元的股份回购,以及 2027年 4 月支付约 30 万亿韩元的年终股息。此外,三星还需要超 30 万亿韩元的库存股用于员工特别奖励。美银预计 SK 海力士也将以 50%的自由现金流用于股东回报,回购力度可能大于现金股息。

HBM 产能方面,美银预计 2026年 HBM 晶圆产能将达 47.6 万片/月(占 DRAM 总产能 22.6%),2027 年达 74.1 万片/月(占 26.6%)。三星 HBM 晶圆产能份额有望从 2025 年的 37%升至 2027 年的 39%,接近 SK 海力士的 40%。HBM4和 HBM4e 将是 2026至 2027 年的主力产品,HBM5 及以上产品将从 2027 年开始逐步渗透。

存储超级周期正在从价格驱动转向量价双驱。2028 年行业 ASP 的小幅回落不应被视为周期终结,HBM 的持续放量和 AI 服务器的结构性需求正在重塑存储行业的盈利模式。三星的大规模回购和特别股息将为估值提供支撑,美银的存储指标仍处历史高位表明行业热度尚未消退。DRAM和 NAND 的供需偏紧格局在 2027 年前难以逆转,超级周期的终点可能比市场预期的更远。

免责声明

本文系潮向研究对第三方券商研究报告(美银证券,2026年 8月 7 日)的整理与解读,结合公开市场信息的整理。文中引述的评级、目标价、盈利预测及相关判断,均为该券商分析师的观点,仅代表其所属机构立场,不代表潮向研究的观点,也不构成任何投资建议。

市场有风险,决策需独立。本文不应作为买卖任何证券的依据。

相关问答

Q美银证券预测2026年至2028年全球DRAM行业的销售额分别是多少?

A根据美银证券2026年8月7日的报告预测,2026年全球DRAM行业销售额预计为5730亿美元,2027年为8470亿美元,2028年为9170亿美元。其中,2026年同比增长328%,2027年增长48%,2028年小幅回落约8%。

Q美银证券如何看待存储超级周期的可持续性?驱动此周期延续至2027年的核心因素是什么?

A美银证券认为存储超级周期将持续至2027年,并将从价格驱动转向量价双驱。驱动此周期延续的核心因素是HBM(高带宽内存)需求的强劲增长。报告预测,HBM市场规模将在2026年达到774亿美元,同比增长124%,2027年进一步增至1528亿美元,增长98%。HBM在AI服务器等领域的结构性需求正在重塑存储行业的盈利模式。

Q文章提到三星电子可能启动何种规模的股东回报计划?预计如何执行?

A文章援引美银证券分析称,三星电子预计将启动大规模股东回报计划,其中包括:派发超过30万亿韩元的特别股息,并启动超过40万亿韩元的股份回购。执行方案可能包括在2024年第三或第四季度派发特别股息,在2027年上半年启动股份回购,并在2027年4月支付约30万亿韩元的年终股息。

Q本周(指报告发布当周)NAND和DRAM现货价格表现如何?为何说NAND价格反弹超出预期?

A本周NAND现货价格出现意外强劲反弹,512Gb至1Tb产品价格上涨5%至6%,256Gb产品涨幅超过10%,远超季节性规律。DRAM现货价格也同步走高,环比上涨1%至2%,对应季度涨幅约20%至40%。美银认为,NAND价格的强劲反弹与二、三级OEM厂商为9月和第四季度旺季备货新机型有关。整体来看,现货价格表现好于季节性,传统DRAM和NAND的供给仍然偏紧。

Q美银证券报告中关于HBM产能的预测是怎样的?三星与SK海力士的份额对比情况如何?

A美银证券预测,2026年HBM晶圆产能将达到47.6万片/月(占DRAM总产能的22.6%),2027年将达到74.1万片/月(占26.6%)。在市场份额方面,三星的HBM晶圆产能份额有望从2025年的37%提升至2027年的39%,接近SK海力士的40%。HBM4和HBM4e将是2026至2027年的主力产品,HBM5及以上产品将从2027年开始逐步渗透。

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