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Interprétation du rapport de Goldman Sachs : Prévisions des équipements front-end de wafers (WFE) révisées à la hausse à 150 milliards de dollars, les dépenses en équipements dominées par la DRAM et la fonderie

Analyse de Goldman Sachs : Les prévisions pour les équipements frontaux de tranches de silicium (WFE) sont substantiellement relevées à 150 milliards de dollars, les dépenses en équipements étant dominées par la DRAM et la fonderie. Le 23 août, Goldman Sachs a publié un rapport sur l'industrie mondiale des équipements de capital semiconducteur, relevant ses prévisions WFE pour 2026-2028 à 150, 218 et 281 milliards de dollars, soit des hausses de 6%, 17% et 35% par rapport aux estimations précédentes. Cette révision est principalement tirée par la demande à court terme pour la DRAM et les procédés avancés de fonderie, le NAND et la logique/autre (incluant Terafab) prenant le relais à moyen terme. Dans le segment DRAM, les prévisions WFE sont relevées à 48, 72 et 97 milliards de dollars pour 2026-2028. Le HBM4, nécessitant une architecture d'emballage plus avancée, exige des investissements accrus en équipements de gravure, dépôt et inspection, prolongeant les contraintes de capacité jusqu'en 2028. Pour la fonderie, les prévisions sont portées à 58, 84 et 109 milliards de dollars, stimulées par l'intensification du nœud N2 de TSMC (premier à utiliser l'architecture GAA) qui augmente la consommation d'équipements tels que la lithographie EUV. Le segment logique/autre voit ses prévisions augmenter à 34, 47 et 53 milliards de dollars, l'incrément provenant notamment d'environ 16,8 milliards de dollars d'investissements initiaux en équipements pour le projet Terafab de SpaceX/Tesla. Goldman Sachs reste positif sur les actions d'équipements semiconducteurs, citant Applied Materials, Lam Research, ASML, Tokyo Electron, ASMI, BESI, Lasertec et Ebara comme principaux bénéficiaires, profitant de l'expansion simultanée de la DRAM, de la fonderie, du NAND et de la logique.

marsbitIl y a 2 jours 04:19