Rédactrice : Rita
Le 23 août, Goldman Sachs a publié un rapport sur l'industrie mondiale des équipements en capital pour semi-conducteurs, relevant ses prévisions pour les équipements front-end de wafers (WFE) de 2026 à 2028 à 150 milliards, 218 milliards et 281 milliards de dollars, soit une hausse de 6 %, 17 % et 35 % par rapport aux prévisions antérieures. Les taux de croissance annuelle ajustés sur trois ans sont de 36 %, 45 % et 29 %, contre 28 %, 32 % et 12 % précédemment attendus.
Goldman Sachs estime que cette révision à la hausse est principalement tirée par la demande à court terme de la DRAM et des fonderies en processus avancés, tandis que la NAND et la logique/autres (incluant Terafab) prendront le relais à moyen terme. L'expansion simultanée des deux grands segments mémoire et logique fait évoluer la base de la demande de l'industrie des équipements d'une structure unique vers une impulsion plurielle.
Les dépenses en équipements DRAM s'accélèrent, les contraintes de capacité se prolongent jusqu'en 2028
La DRAM est le sous-secteur ayant enregistré la plus forte révision à la hausse. Goldman Sachs a relevé ses prévisions WFE pour 2026-2028 de 46, 67 et 74 milliards de dollars à 48, 72 et 97 milliards de dollars, et les taux de croissance annuelle de 45 %, 45 %, 10 % à 50 %, 50 %, 35 %. Les prévisions de dépenses en capital de Samsung et SK Hynix ont été relevées de 22 % et 19 % respectivement.
Le HBM4 est le moteur direct de la hausse concentrée des dépenses en capital DRAM. Par rapport au HBM3, le HBM4 adopte une architecture d'emballage plus avancée, imposant des exigences plus élevées en matière de densité de TSV (via-silicium), d'espacement des microbilles et de gestion thermique. Cela signifie que les investissements en équipements de gravure, dépôt et inspection requis par 10 000 wafers mensuels augmenteront significativement. Goldman Sachs prévoit que même si les dépenses en capital DRAM restent élevées, les contraintes de capacité de l'industrie persisteront jusqu'en 2028, et la visibilité des commandes pour les fournisseurs d'équipements se prolongera.
Expansion simultanée de la fonderie et de la logique, contribution de Terafab
Dans le domaine des fonderies, Goldman Sachs a relevé les prévisions WFE 2026-2028 de 52, 68, 78 milliards de dollars à 58, 84, 109 milliards de dollars, et les taux de croissance annuelle de 30 %, 30 %, 16 % à 45 %, 45 %, 30 %. Les dépenses annuelles en capital de TSMC ont été relevées de 8 milliards de dollars, principalement poussées par l'intensification du nœud N2 et la demande des clients.
N2 est le premier nœud de production en volume de TSMC utilisant l'architecture de transistors GAA (grille tout autour). Par rapport à N3, la complexité de processus de N2 est plus élevée, nécessitant clairement plus d'équipements de lithographie EUV, de dépôt en couches atomiques et de gravure sélective. Goldman Sachs s'attend à une montée en puissance continue de N2 au cours des prochains trimestres, stimulant les achats d'équipements sur toute la chaîne. L'intensité en équipements des fonderies en processus avancés est nettement supérieure à celle des processus matures, chaque nouvelle génération de nœud signifiant un investissement en équipements par unité de capacité plus élevé.
La révision à la hausse des WFE dans le secteur logique/autres est également considérable. Les prévisions 2026-2028 sont passées de 32, 35, 37 milliards de dollars à 34, 47, 53 milliards de dollars, et les taux de croissance annuelle de 5 %, 9 %, 6 % à 11 %, 40 %, 12 %. L'augmentation provient principalement de deux aspects : la demande d'Intel dépasse les attentes, et la reprise des marchés des processus matures et analogiques.
Terafab est une nouvelle variable non négligeable dans ces prévisions. Goldman Sachs a déjà inclus l'investissement initial en équipements d'environ 16,8 milliards de dollars pour Terafab, engagé par SpaceX et Tesla, dans les prévisions WFE de la catégorie logique/autres. Les achats initiaux d'équipements pour Terafab couvrent toutes les catégories (lithographie, gravure, dépôt, inspection, etc.) et se superposent largement à la demande en équipements des fonderies de puces logiques. Terafab contribue à la majeure partie de l'augmentation du segment logique/autres. Goldman Sachs estime que l'impact de Terafab en est encore à ses débuts, et que cette catégorie a encore une marge de révision à la hausse au fur et à mesure du déploiement des phases ultérieures.
Pour la NAND, Goldman Sachs maintient ses prévisions 2026-2028 à 11, 15, 22 milliards de dollars, la prévision 2027 étant réduite de 17 à 15 milliards de dollars, principalement en raison d'ajustements dans le rythme des dépenses en capital de certains fabricants. Goldman Sachs s'attend à ce que les dépenses en équipements NAND soient principalement axées sur les mises à niveau technologiques à court terme, la situation de l'offre restant tendue jusqu'en 2027.
Les fournisseurs d'équipements bénéficient pleinement de la révision à la hausse des WFE
Goldman Sachs est optimiste sur les actions mondiales des équipements semi-conducteurs. Recommandations principales : Applied Materials, Lam Research, ASML, Tokyo Electron, ASMI, BESI, Lasertec et Ebara.
L'expansion de la DRAM stimule la demande en équipements de gravure et de dépôt, Applied Materials et Lam Research étant les principaux bénéficiaires. Le HBM4 exige une extrême précision pour la gravure TSV et le dépôt de remplissage en cuivre, ces deux sociétés disposant d'une technologie de pointe dans ces étapes de processus, avec une bonne visibilité des commandes.
La montée en puissance du nœud N2 en fonderie stimule les achats d'équipements de lithographie. La demande en machines de lithographie EUV et DUV d'ASML continue d'augmenter. N2 nécessite environ 20 % de couches EUV en plus par rapport à N3, et chaque couche requiert une dose d'exposition plus élevée, poussant directement la consommation d'équipements de lithographie. Le fournisseur d'équipements d'inspection Lasertec bénéficie à la fois de l'expansion des segments DRAM et logique. Pour les équipements de test et d'emballage avancés, BESI et Ebara bénéficient de la complexité accrue de l'emballage HBM.
Goldman Sachs a révisé à la hausse non seulement les chiffres, mais aussi son jugement sur le cycle de l'industrie. Les quatre grands segments - DRAM, fonderie, NAND, logique - se développent simultanément, Terafab commence à contribuer, et la base de croissance de l'industrie des équipements évolue d'une correction structurelle unique vers une impulsion plurielle. La visibilité des commandes et les marges des fournisseurs d'équipements sont en phase ascendante.
Avertissement
Cet article est une synthèse et une interprétation par Chaoxiang Research d'un rapport de recherche tierce (Goldman Sachs, 23 août 2026), combinée à une analyse d'informations publiques du marché. Les notations, prix cibles, prévisions de bénéfices et jugements associés cités dans l'article sont les opinions des analystes de cette société de courtage, représentant uniquement la position de leur institution, et ne reflètent pas le point de vue de Chaoxiang Research, ni ne constituent aucun conseil en investissement.
Le marché comporte des risques, les décisions doivent être indépendantes. Cet article ne doit pas servir de base à l'achat ou à la vente de titres.
