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光刻机简史:一束光如何走了六十九年

2026年7月,一则中国开始制造浸没式深紫外光刻机的消息引发ASML股价大跌,市值蒸发约440亿美元。市场担忧的并非仅五台机器,而是“中国在DUV层面永远依赖进口”这一垄断假设的破裂。这台国产机技术水平约相当于ASML 2008年的产品,存在约18年代差,预计2027年量产。 光刻机发展史是一部“被客户养活”的历史。1957年,美国物理学家杰伊·拉思罗普命名了“光刻”技术。早期经历了接触式、投影式到步进机的演进。美国企业曾领先,但在1980-1990年代,因本土芯片公司更青睐日本产品(尼康、佳能),美国光刻产业迅速衰落。 2001年,荷兰ASML凭借TWINSCAN双工件台技术和收购美国SVG公司崛起。2000年代初,行业在193nm光源上遇到瓶颈。台积电林本坚提出浸没式方案(在镜头与硅片间加水),ASML率先押注并成功,于2004年推出商用机,一举超越当时押注157nm路线的尼康。 更艰难的突破是极紫外光刻。EUV技术自80年代提出,历经超20年研发,面临光源、真空环境等巨大挑战。ASML在英特尔、台积电、三星等客户巨额资金与研发承诺的支持下,最终于2010年代后期实现EUV量产,形成近乎绝对的垄断。 全文核心指出,光刻机的成功迭代不仅依赖技术突破,更关键在于是否有客户愿意长期投资、容忍早期的不完善并持续下单。美国输在客户转向,日本输在押错技术方向,而ASML的成功则得益于与顶级芯片制造商的深度绑定与共同坚持。中国在1966年就已造出接触式光刻机样机,真正的挑战始终在于:造出来后,谁愿意用、并持续用到第十台。

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中国启动芯片光刻机生产:为何专家未急于喝彩

中国一家上海国企已启动沉浸式DUV光刻机的生产,这是制造现代半导体的关键设备。据匿名消息称,该公司计划在2026年生产约五台,2027年约二十台,首批设备将供应给中芯国际、华虹半导体和长鑫存储等企业。生产方为2023年注册、注册资本70亿元的上海艾盛纳电子科技集团,其整合了来自上海宇量昇科技及上海微电子装备等公司的研发团队。 然而,行业专家对此持谨慎态度。消息人士指出,艾盛纳的设备仍需大量测试,且远未达到行业领导者荷兰ASML的水平。分析师强调,小批量生产与具备大规模量产能力的商业可行设备存在本质区别,后者需要极高的良率、对准精度、产能和长期可靠性。专家提醒,过去关于中国在光刻领域取得突破的消息常被夸大,需等待独立验证。目前,ASML的市场主导地位并未受到实质性威胁。 专家认为,对ASML更现实的风险可能来自美国潜在的《MATCH法案》对其设备销售与服务的限制,而非中国当前的进展。艾盛纳设备的前景,最终取决于其能否实现真正的规模化量产,而非仅制造原型机。从宏观角度看,中国市场虽为ASML贡献了约14%的销售额,但并非决定性收入来源。历史经验表明,中国从实验室原型到稳定量产产品的过程往往耗时漫长,艾盛纳能否打破这一模式,需待2027年的实际交付情况来验证。

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