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华尔街集体看多：ASML 产能激增，内存“见顶论”可以休矣

ASML发布远超预期的二季度业绩，并大幅上调全年营收与毛利率指引。公司罕见公布2027至2028年产能扩张路线图，计划显著提升低数值孔径EUV及浸没式DUV设备产能。此举直接回应了市场对AI需求可持续性的疑虑，并有力反驳了内存市场“2028年见顶”的看空观点。 业绩显示，二季度营收、毛利率等核心指标均超预期，三季度指引亦带来惊喜。华尔街主要投行如高盛、摩根大通等集体维持买入评级，认为业绩验证了AI驱动的供应瓶颈。分析指出，AI需求正推动逻辑芯片与内存芯片双线扩张，尤其是HBM等高需求产品正结构性挤压产能，预计将支撑内存价格在更长时间内保持高位。尽管对2027年EUV产能的具体目标存在细微分歧，但市场普遍看好ASML的技术主导地位及在AI周期中的长期增长潜力。

链捕手07/15 14:57

华尔街集体看多：ASML 产能激增，内存“见顶论”可以休矣

链捕手07/15 14:57

光芯片，集体扩产

近日，全球光芯片产业链密集出现扩产、投资与供应链绑定动作，以满足AI数据中心对光互连能力激增的需求。 美国方面，Coherent获政府资助扩建德州6英寸磷化铟（InP）产线，产能将提升至4倍，NVIDIA已对其战略投资并锁定未来产能。Lumentum在北卡罗来纳州新建激光器工厂，Nokia则在宾夕法尼亚扩建光子芯片先进测试与封装产能。日本材料商JX Advanced Metals计划大幅投资，将InP衬底产能提升7-10倍。欧洲方面，IQE与Tower Semiconductor达成InP外延片供应协议，推动硅光平台与III-V材料集成；ST计划在法国大幅提升300mm硅光产能；Sivers Semiconductors与格芯合作开发集成激光器的硅光方案。 国内光芯片产业链同样迅猛发展。东山精密旗下索尔思光电宣布投资12亿美元在常州扩建光芯片及光模块产能。三安光电已具备6英寸InP光芯片量产能力，云南锗业亦启动磷化铟单晶片扩产项目。产业链正从模块组装向材料、芯片、封测等全环节延伸。 行业分析指出，无论未来采用可插拔、CPO（共封装光学）还是其他架构，AI算力增长对带宽的需求将持续推高光芯片用量。目前CPO面临技术挑战，可能放缓落地，但光源路线呈现多元化（如硅光+连续波激光器、VCSEL、MicroLED等），将在不同应用场景分层并存。这场全球扩产竞赛实质是各国对AI数据中心光互连时代的关键布局，光子产业链已进入白热化竞争阶段。

marsbit06/20 10:16

光芯片，集体扩产

marsbit06/20 10:16

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