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cryptonews发布于2024-08-08更新于2024-08-13

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光芯片,集体扩产

近日,全球光芯片产业链密集出现扩产、投资与供应链绑定动作,以满足AI数据中心对光互连能力激增的需求。 美国方面,Coherent获政府资助扩建德州6英寸磷化铟(InP)产线,产能将提升至4倍,NVIDIA已对其战略投资并锁定未来产能。Lumentum在北卡罗来纳州新建激光器工厂,Nokia则在宾夕法尼亚扩建光子芯片先进测试与封装产能。日本材料商JX Advanced Metals计划大幅投资,将InP衬底产能提升7-10倍。欧洲方面,IQE与Tower Semiconductor达成InP外延片供应协议,推动硅光平台与III-V材料集成;ST计划在法国大幅提升300mm硅光产能;Sivers Semiconductors与格芯合作开发集成激光器的硅光方案。 国内光芯片产业链同样迅猛发展。东山精密旗下索尔思光电宣布投资12亿美元在常州扩建光芯片及光模块产能。三安光电已具备6英寸InP光芯片量产能力,云南锗业亦启动磷化铟单晶片扩产项目。产业链正从模块组装向材料、芯片、封测等全环节延伸。 行业分析指出,无论未来采用可插拔、CPO(共封装光学)还是其他架构,AI算力增长对带宽的需求将持续推高光芯片用量。目前CPO面临技术挑战,可能放缓落地,但光源路线呈现多元化(如硅光+连续波激光器、VCSEL、MicroLED等),将在不同应用场景分层并存。这场全球扩产竞赛实质是各国对AI数据中心光互连时代的关键布局,光子产业链已进入白热化竞争阶段。

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英特尔 CEO 陈立武首次播客访谈:我们的目标是“5-10 年 10 倍”,押注先进封装、玻璃基板和人工钻石

英特尔CEO陈立武在接受播客访谈时,提出了“5-10年实现10倍回报”的股东回报目标,并系统阐述了其领导下的转型战略。面对传统工艺微缩接近物理极限的挑战,他将突破点聚焦于先进封装技术(如EMIB)、新型基板材料(如玻璃基板)以及氮化镓、碳化硅和人工合成钻石等半导体新材料,旨在通过材料科学与封装创新延续性能增长。 陈立武将转型过程分为“爬、走、跑”三个阶段。目前英特尔处于夯实基础的“爬行”阶段,首要任务是稳固资产负债表、聚焦简化产品线、并倾听客户需求。他特别指出,智能体AI和推理场景的爆发正带动CPU需求强劲回升。 在代工业务方面,他强调这是一门“信任的生意”,核心是提升良率、缺陷密度和周期时间等基础能力,以服务客户并保障美国本土供应链安全。他同时透露,与埃隆·马斯克合作的Terafab项目进展顺利,双方正共同应对AI算力增长带来的半导体基础设施挑战。 陈立武认为,市场目前低估了英特尔的长期潜力。他预计到2030-2032年,外界将真正看到其在PC基本盘之外,于边缘计算、物理AI与智能体AI等新兴市场的价值。通过整合XPU(混合架构)、先进封装与代工能力,为不同工作负载提供定制化芯片解决方案,是其为英特尔锚定的长期战略方向。

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