Tras la publicación de los resultados del segundo trimestre de Samsung Electronics el 30 de julio, los informes financieros correspondientes al segundo trimestre/último trimestre fiscal de los tres principales fabricantes internacionales de chips de memoria –Samsung Electronics, SK Hynix y Micron Technology– ya están completos, y cada una de estas compañías ha batido su récord histórico de resultados.
Sin embargo, los resultados récord no han traído un precio de las acciones récord. En el último mes, las acciones de estas tres empresas han experimentado fuertes retrocesos. Los analistas del mercado consideran que la lógica detrás de la venta por parte de los inversores es el temor a que este ciclo de auge del sector repita el "círculo vicioso" de "subida de precios – expansión de la capacidad – exceso de oferta – desplome" que se ha repetido en las últimas décadas.
Según la información pública disponible, aunque el gasto de capital (capex) de los tres gigantes está aumentando considerablemente, tras experimentar múltiples ciclos de auge y caída, esta vez muestran mucha más moderación en la expansión de capacidad – centrándose principalmente en la dirección de la IA, no en una expansión generalizada. Por ejemplo, se espera que el gasto de capital de SK Hynix para 2026 se acerque a los 50 billones de wones (aproximadamente 350 mil millones de dólares), y la nueva capacidad de procesos avanzados se dirige casi en su totalidad a la memoria HBM (High Bandwidth Memory) y la DRAM (memoria de acceso aleatorio dinámica) para servidores de IA, mientras que la oferta para dispositivos de consumo electrónico se ha ajustado aún más debido a este desvío de capacidad hacia la IA.
Un inversor profesional que lleva mucho tiempo siguiendo el sector del almacenamiento dijo al Economic Observer que, al tiempo que los tres gigantes expanden su capacidad de forma concentrada en el área de IA, también están haciendo otra cosa: han firmado contratos de suministro a largo plazo de tres a cinco años con clientes de la cadena de valor aguas abajo, que incluyen precios mínimos garantizados y cláusulas de "take-or-pay" (es decir, el comprador debe pagar el importe acordado independientemente de si retira la mercancía o no), y el comprador proporciona pagos anticipados y garantías como respaldo de cumplimiento.
La dirección de Micron también confirmó en la conferencia de resultados del 25 de junio que el margen bruto calculado según los precios mínimos de los 16 acuerdos con clientes estratégicos (SCA) de cinco años ya firmados supera el valor máximo alcanzado en cualquier ciclo histórico anterior.
Además, la orientación de resultados para el próximo trimestre proporcionada por los tres gigantes en sus conferencias de resultados sigue siendo al alza. Por ejemplo, la previsión de ingresos de Micron para el próximo trimestre tiene una mediana de 500 mil millones de dólares, muy por encima de las expectativas previas del mercado de 432 mil millones de dólares, y la perspectiva de oferta y demanda hasta 2027 tampoco muestra signos de debilitamiento. La dirección de Samsung declaró en la conferencia telefónica del 30 de julio que era poco probable que apareciera una oferta nueva significativa antes de 2028, ya que la construcción de una nueva fábrica de obleas desde el inicio de las obras hasta la producción en masa requiere más de tres años, y el incremento de capacidad correspondiente a los proyectos en curso no podrá materializarse a corto plazo. La dirección de SK Hynix confirmó en la conferencia telefónica del 29 de julio que la demanda relacionada con la IA seguirá acelerándose en la segunda mitad del año, esperando que los envíos de DRAM de la compañía en el tercer trimestre crezcan un porcentaje de medio dígito respecto al trimestre anterior, y que la perspectiva de oferta y demanda hasta 2027 no muestre signos de debilitamiento.
¿Podrá la industria del almacenamiento romper esta vez el "círculo vicioso" anterior?
01
Déficit de oferta
La capacidad de los tres gigantes para obtener cláusulas favorables como precios mínimos garantizados, condiciones "take-or-pay" y pagos anticipados sustanciales en los contratos de suministro a largo plazo (en adelante, "contratos LTA") tiene como premisa que los compradores, en el actual panorama de oferta y demanda, "no tienen margen de negociación".
La dirección de Micron opinó en la conferencia de resultados del segundo trimestre que la tensión entre oferta y demanda persistiría más allá de 2027. Kim Jae-joon, vicepresidente ejecutivo del negocio de memoria de Samsung, declaró en la conferencia de resultados del 30 de julio que el déficit de oferta en 2027 sería más grave que en 2026, y que no aparecería una oferta nueva significativa antes de 2028.
En un informe de investigación publicado el 4 de agosto titulado "Respuesta a las ocho preguntas clave sobre la industria del almacenamiento", Goldman Sachs calculó que el déficit de oferta de DRAM a nivel mundial en 2026 (la proporción de oferta menos demanda sobre la demanda) sería del -4,9%, el más grave en los últimos 15 años, y se prevé que la oferta y la demanda sean aún más ajustadas en 2027.
Una fuente cercana a la cadena de suministro de SK Hynix dijo al Economic Observer que en el último mes, el ritmo de expansión de capacidad de los fabricantes (fabs) originales se había acelerado notablemente. Los contratos a largo plazo firmados con clientes estadounidenses han aumentado considerablemente la visibilidad sobre la demanda futura, pero la planificación de capacidad ya está cerrada para antes de la primera mitad de 2028, y la capacidad correspondiente a los nuevos proyectos no empezará a liberarse hasta la segunda mitad de 2028. El cuello de botella clave que limita la velocidad de expansión son las máquinas EUV (fotolitografía de luz ultravioleta extrema, actualmente el único equipo de fotolitografía que puede utilizarse para producir chips de memoria de proceso avanzado). El plazo de entrega de este equipo supera ya los dos años y medio.
Esta fuente explicó que el objetivo de capacidad declarado públicamente por SK Hynix es "duplicar para 2030 la capacidad existente a finales de 2025", lo que corresponde a una tasa de crecimiento anual de aproximadamente el 16%-17%.
Los plazos de entrega de los equipos están limitando el crecimiento del volumen total de la oferta, y también existen restricciones en la asignación interna de la capacidad existente. Lin Meibing, analista jefe de chipICTIME, dijo al Economic Observer que el número de pasos de procesos como la fotolitografía y el grabado para la memoria HBM es aproximadamente tres veces mayor que el de la DRAM convencional. Convertir aproximadamente 10.000 obleas equivalentes de capacidad de producción mensual de HBM consume la capacidad de producción mensual de aproximadamente 30.000 obleas equivalentes de DRAM convencional. La actual capacidad de producción mensual total de HBM de la industria es de aproximadamente 326.000 obleas equivalentes de 12 pulgadas (Samsung, aproximadamente 140.000; SK Hynix, aproximadamente 150.000; Micron, aproximadamente 36.000), y sigue siendo insuficiente.
Wang Xudong, analista de semiconductores de Sigmaintell, afirmó que los servidores de IA ya representaban aproximadamente el 50% de la capacidad de producción mundial de obleas de DRAM en 2026, y se prevé que esta proporción aumente a aproximadamente el 60% en 2027.
Cada oblea adicional destinada a HBM reduce la oferta de DRAM convencional en tres obleas, lo que refuerza mutuamente la escasez de ambos tipos de productos. En los períodos de alto margen de anteriores ciclos de memoria, los tres gigantes expandían la capacidad en todas las direcciones, pero esta vez la expansión está muy concentrada en la IA, por lo que el déficit de oferta en el segmento de consumo será más persistente que nunca.
Lo que resulta aún más contrario a la intuición es la comparación de rentabilidad entre los dos tipos de productos.
La citada fuente cercana a la cadena de suministro de SK Hynix reveló que el precio por GB del HBM3E (High Bandwidth Memory de tercera generación mejorada, el producto de memoria principal actualmente integrado en los chips aceleradores de IA) es actualmente de aproximadamente 12-13 dólares, y el precio por GB del HBM4, que comenzará a llegar en la segunda mitad del año, estará entre aproximadamente 16 y 19 dólares. Se espera que el precio de ambos productos para 2026 sea inferior al precio de venta del DDR5 en el mismo período.
Actualmente, el margen bruto medio del sector de los productos DDR convencionales supera generalmente el 80%, mientras que el HBM, debido a las pérdidas de rendimiento en los procesos de encapsulado y TSV (Through-Silicon Via, una tecnología que perfora agujeros entre chips multicapa para conectar líneas de datos), tiene un margen bruto de aproximadamente el 50%-70%.
Goldman Sachs prevé en el mencionado informe que, a finales de 2026, el precio medio de la DRAM convencional se elevará a aproximadamente 2 dólares por Gb (a finales de 2025 era de 0,5 a 0,6 dólares por Gb). A fecha del segundo trimestre, el precio por GB de la DRAM convencional ya superaba al del HBM. El organismo prevé que, en 2027, el precio medio de venta (ASP) combinado del HBM tendrá que aumentar entre un 87% y un 100% interanual para recuperar su prima sobre la DRAM convencional.
La citada fuente cercana a la cadena de suministro de SK Hynix cree que en 2027 se producirá una importante corrección al alza del HBM, ya que actualmente el HBM se negocia anualmente y su precio no ha podido seguir el ritmo de la situación del mercado.
Los grandes compradores están incluso modificando sus diseños de producto por ello. Un informe de investigación publicado el 4 de agosto por la consultora TrendForce muestra que, a partir del tercer trimestre de este año, Nvidia ha cambiado la configuración de HBM para su próxima GPU Rubin Ultra, pasando de HBM4E de 12 capas a evaluar en paralelo varias opciones de especificaciones reducidas, como HBM4E de 8 capas, HBM4 de 12 capas y HBM4 de 8 capas; además, debido a la continua escasez de LPDDR5X (un tipo de memoria de bajo consumo ampliamente utilizado en servidores y dispositivos móviles), Nvidia ha decidido reducir a la mitad la capacidad de memoria que montará su próximo superchip module.
TrendForce prevé que el volumen de envíos de HBM en bits crecerá entre un 50% y un 60% en 2027, pero sigue siendo insuficiente para satisfacer la demanda.
Incluso Nvidia ha empezado a reducir las especificaciones de sus productos por no poder conseguir suficiente memoria. Ante un déficit de oferta y demanda que durará al menos hasta 2028, lo único que parece que pueden hacer otros compradores es "firmar con antelación para asegurar el suministro".
02
Contratos a largo plazo de cinco años
Durante muchos años, el modo de transacción de los chips de memoria ha sido la negociación trimestral de precios.
A principios de cada trimestre, el fabricante original fija primero un precio provisional para los envíos, y el precio final de liquidación se fija en el último mes del trimestre. El precio sigue la oferta y la demanda del mercado, las subidas y bajadas las determina completamente la situación del trimestre, y compradores y vendedores buscan sus respectivas soluciones óptimas en una negociación con un horizonte de un trimestre.
Precisamente este modo de negociación trimestral ha hecho que la fluctuación de los precios de los chips de memoria sea mucho mayor que la de otros productos semiconductores, que los beneficios de los fabricantes originales fluctúen bruscamente con los precios, y que el mercado de capitales haya valorado durante mucho tiempo las acciones del sector de la memoria como acciones cíclicas típicas.
Ahora, lo que están haciendo los tres gigantes es cambiar las transacciones trimestrales, vigentes durante muchos años, por contratos a largo plazo de tres a cinco años.
En las entrevistas se ha sabido que estos contratos contienen principalmente varias cláusulas clave: las partes compradora y vendedora acuerdan un volumen de suministro para tres a cinco años, el precio unitario se revisa anualmente, el precio tiene un límite superior y otro inferior, formando un "corredor de precios", el comprador aporta como garantía de cumplimiento condiciones "take-or-pay", pagos anticipados o fianzas, y algunos contratos también establecen un importe de ingresos mínimo garantizado.
Varios de los entrevistados dijeron al periodista que en el pasado también habían aparecido esporádicamente en el sector del almacenamiento acuerdos de suministro anuales, pero su duración solía ser de no más de un año, con una cobertura muy pequeña, y sin precios mínimos ni cláusulas "take-or-pay" en sus términos, por lo que su fuerza vinculante era limitada.
Los LTA que están impulsando esta vez los tres gigantes difieren en un orden de magnitud de los anteriores en cuanto a duración, escala y fuerza vinculante.
Micron firmó en su tercer trimestre fiscal de 2026 dieciséis Acuerdos con Clientes Estratégicos (SCA) con una duración de cinco años y cláusulas "take-or-pay", de los cuales catorce incluían un precio mínimo garantizado. El importe total calculado según el precio mínimo garantizado es de aproximadamente 1 billón de dólares. Se espera que Micron reciba aproximadamente 22 mil millones de dólares en depósitos en efectivo y cartas de crédito como garantía de cumplimiento (aproximadamente 18 mil millones en efectivo y 4 mil millones en cartas de crédito), con el objetivo de que este tipo de acuerdos cubran finalmente más del 40% de sus ingresos.
La cobertura de Samsung es mayor. Kim Jae-joon declaró el 30 de julio que Samsung planea asignar entre el 60% y el 70% de su capacidad a LTA plurianuales, y considerando que el número de clientes que buscan firmar sigue aumentando, esta proporción podría aumentar aún más; con una base de cinco años y renovación anual rodante, los cinco principales clientes de centros de datos a nivel mundial han firmado en su totalidad, y hay otros cinco grandes clientes de IA en las últimas etapas de negociación; Samsung ya ha recibido aproximadamente una cuarta parte del importe total acordado de los pagos anticipados.
Además, Park Jun-duk, responsable de marketing de DRAM de SK Hynix, confirmó el 29 de julio haber completado las negociaciones con aproximadamente diez clientes clave, pero no especificó la proporción de las ventas totales que cubrirían los LTA.
Según un informe de investigación relacionado publicado por Goldman Sachs el 29 de julio, actualmente más de la mitad de la DRAM para servidores ya está cubierta por LTA.
Por supuesto, la cobertura de los LTA no se limita a la DRAM. El fabricante de memoria flash NAND SanDisk confirmó el 5 de agosto la firma de LTA plurianuales con ocho clientes (SanDisk los denomina "nuevo modelo de negocio"), con una duración media ponderada superior a cuatro años, unos ingresos totales calculados según el precio mínimo garantizado de 93,9 mil millones de dólares, y garantías financieras asociadas por valor de 16,5 mil millones de dólares. David Goeckeler, director ejecutivo de SanDisk, declaró que se espera que estos LTA cubran más del 50% de la capacidad en bits de SanDisk en el ejercicio fiscal de 2027, y aproximadamente dos tercios en el ejercicio fiscal de 2028.
La disposición de los compradores a aceptar estos términos se debe fundamentalmente a que el horizonte temporal del déficit de oferta es lo suficientemente largo y no hay margen para "esperar a que bajen los precios".
Un director de producto de un gran fabricante de módulos de memoria de Shenzhen afirmó que actualmente hay una grave escasez de memoria para servidores, existiendo un déficit de oferta tanto en la memoria de servidores CPU como de servidores GPU, hasta el punto de que ha sido necesario reducir las especificaciones (downgrade) de los servidores. La principal necesidad del cliente es conseguir el producto, no negociar un mejor precio.
Los detalles de las cláusulas de precios reflejan aún más la posición de fuerza del vendedor.
Bank of America Securities analizó en un informe de investigación publicado el 1 de agosto que, en sus LTA, Samsung limita la reducción de precios a no más del 5% respecto al trimestre anterior, mientras que el espacio para aumentos es del 10%-20% o más y no tiene límite superior. Los tres gigantes se benefician de seguir al mercado cuando los precios suben, y los ingresos están respaldados por el límite inferior establecido en las cláusulas cuando los precios bajan.
Lin Meibing afirmó que el precio de suministro para 2027 de varios grandes clientes estadounidenses de computación en la nube que han firmado LTA ya está básicamente fijado, con un plazo que suele cubrir hasta 2030 o incluso 2035, y dado que en 2027 seguirá habiendo escasez, el vendedor no tiene motivos para ofrecer un precio más bajo. Su opinión es que la posibilidad de un ajuste a la baja en los precios aparecerá después de 2028, cuando la capacidad del sector comience a aumentar y la fijación de precios tenga espacio para ajustes.
Goldman Sachs, tras comparar las cláusulas relevantes de los LTA en el mencionado informe, considera que las cuatro dimensiones –duración, cobertura, mecanismo de fijación de precios y restricciones de cumplimiento– están evolucionando todas en una dirección favorable para los proveedores. Este cambio en el modelo de negocio podría prolongar la duración del período de altos beneficios de los fabricantes de memoria, apoyando que el múltiplo central de valoración de los fabricantes de memoria se eleve desde los 5-6 veces anteriores a 8-10 veces.
David Goeckeler dijo en la conferencia telefónica del 5 de agosto: "Hace tres o cuatro trimestres, el mercado aún negociaba los precios trimestralmente; hoy, SanDisk tiene una visibilidad de la demanda de más de cuatro años. Algunos clientes vuelven después de firmar un trimestre para aumentar los volúmenes de compra para los próximos años. Antes, esto era solo una negociación de precios en la cadena de suministro que se realizaba cada trimestre".
Cabe señalar que los LTA mencionados cubren principalmente la DRAM convencional y la memoria flash NAND. El modelo de venta del HBM es diferente. Dado que cada generación de HBM requiere una verificación de personalización para chips de IA específicos, los fabricantes originales suelen negociar los precios por separado de forma anual con clientes clave como Nvidia, fijando con antelación el precio y la cantidad para el año siguiente.
La dirección de Micron confirmó en la conferencia de resultados que el suministro de HBM de la compañía para todo 2026 ya está completamente vendido, y que el precio y la cantidad ya están fijados.
03
Después de 2028
Actualmente, los incrementos trimestrales consecutivos en los precios de contrato de la DRAM ya se están moderando. Según las estadísticas de TrendForce, el aumento trimestral consecutivo de los precios de contrato de la DRAM fue de aproximadamente el 90% en el primer trimestre de 2026, y se redujo a aproximadamente el 60% en el segundo trimestre. Varios expertos del sector afirmaron que se espera que el aumento en el tercer trimestre se modere aún más, hasta el 13%-18%.
La pendiente del aumento de precios se está ralentizando, pero ¿a qué distancia está de alcanzar su punto máximo?
En opinión de Lin Meibing, después de mediados de 2027, el aumento de los precios de los chips de memoria convergerá notablemente, y en 2028, con la liberación de nueva capacidad, habrá espacio para un ajuste a la baja de los precios.
La citada fuente cercana a la cadena de suministro de SK Hynix afirmó que actualmente el inventario de los fabricantes originales es de aproximadamente 2-4 semanas, inferior al nivel normal de 4-5 semanas, y mucho menor que las más de 10 semanas que solían aparecer antes del inicio de ciclos bajistas anteriores, por lo que aún no han aparecido señales de inversión de la oferta y la demanda; la posibilidad de un ajuste a la baja sustancial de los precios aparecerá después de la segunda mitad de 2028.
Incluso si los precios comienzan a ajustarse a la baja después de 2028, la opinión dentro de la industria sigue siendo que el ritmo del descenso de precios será "muy diferente" al de anteriores ocasiones.
El citado director de producto del fabricante de módulos de memoria dijo al periodista que la electrónica de consumo será la primera en notar el aflojamiento de los precios, seguida de los productos de nicho (altavoces inteligentes, decodificadores, etc.), luego los servidores, y la electrónica del automóvil, por tener los plazos de LTA más largos y el volumen de mercado más pequeño, será el último eslabón en ajustarse.
Es decir, en cada ciclo bajista anterior del sector de la memoria, los precios se desplomaban en todos los frentes en cuestión de meses; pero esta vez, los tres gigantes, a través de los LTA, están "escalonando" los ciclos de ajuste de precios de diferentes clientes y líneas de productos.
Además, el panorama competitivo del mercado mundial de memoria presentará nuevas variables después de 2028, y la palabra clave es ChangXin Memory Technologies (CXMT) (688825.SH).
CXMT cotizó en el STAR Market (mercado de acciones de ciencia y tecnología de Shanghai) el 27 de julio, recaudando aproximadamente 57.900 millones de yuanes, y su valor de mercado se acercó en un momento dado a la marca de los 4 billones de yuanes. Según las estadísticas de envíos de la firma de investigación de mercado Omdia, la cuota de ventas mundial de DRAM de la compañía en el cuarto trimestre de 2025 fue del 7,67%, ocupando el cuarto lugar a nivel mundial.
Según ha sabido el periodista, los costes de producción y los precios finales de CXMT son aproximadamente un 10% más bajos que los de productos similares extranjeros. Mientras los tres gigantes desvían activamente la capacidad de procesos avanzados hacia la IA, el espacio de mercado liberado en el segmento de electrónica de consumo está siendo ocupado por CXMT.
Lin Meibing dijo al periodista que, en las dos líneas de productos principales DDR y LPDDR, los fabricantes de memoria nacionales y los líderes extranjeros básicamente no tienen diferencia generacional. La proporción de ingresos por productos para servidores de las empresas chinas de DRAM ha crecido rápidamente en los últimos años, impulsada por los envíos de DDR5.
Lin Meibing cree que el mayor desafío tecnológico al que se enfrentan los fabricantes de memoria nacionales está en el campo del HBM. Los tres gigantes extranjeros ya pueden producir en masa HBM3, y algunos fabricantes han completado la verificación de producción en masa del HBM4; las empresas nacionales se encuentran aún en la fase de verificación de rampa de producción del HBM3, con una diferencia tecnológica de aproximadamente dos generaciones. Al mismo tiempo, afirmó que las empresas nacionales no tienen la carga de líneas de producción históricas, y la imposibilidad de adquirir máquinas de fotolitografía EUV las ha impulsado a desplegarse en dos nuevas rutas tecnológicas completas –VC-T (transistor de canal vertical) y wafer bonding–, lo que podría permitirles acortar la diferencia en la próxima arquitectura.
Según ha sabido el periodista, CXMT está avanzando actualmente en una colaboración con una fábrica de obleas nacional de procesos maduros en el área de CBA (chiplet bonding assembly, un tipo de encapsulado que fabrica por separado los chips de memoria y lógicos y luego los une mediante hybrid bonding), donde CXMT fabrica las obleas de memoria y el socio contrata la fabricación de las obleas lógicas, para así construir una cadena de fabricación completa de HBM nacional.
Una fuente cercana a CXMT dijo al periodista que el producto LPDDR6 (la próxima generación de memoria de bajo consumo para móviles y dispositivos portátiles) de CXMT ya se acerca al final de la verificación de I+D, con unas especificaciones de diseño iniciales de una velocidad de 12800 Mbps, utilizando chips de 16 Gb, y se espera que logre la introducción en producción en masa en la segunda mitad de 2026.
Wang Xudong considera que las marcas nacionales de dispositivos terminales y los fabricantes de servidores de IA, para garantizar la estabilidad de la cadena de suministro, están aumentando considerablemente la proporción de adquisición e introducción de DRAM nacional, y que la sustitución de importaciones en DRAM genérica y NAND de consumo continuará penetrando, pero el HBM de gama alta y el almacenamiento empresarial para IA difícilmente podrán formar una sustitución a gran escala a corto plazo.
La presión en el segmento de consumo también está cambiando la estructura de la demanda del sector del almacenamiento.
El citado director de producto del fabricante de módulos de memoria dijo al periodista que se espera que la corrección a la baja interanual de la demanda de almacenamiento para móviles en todo 2026 sea del 15%-20%. En el segundo trimestre, algunos fabricantes de móviles no pudieron aceptar el precio de Samsung y redujeron drásticamente los volúmenes de compra, por lo que el almacenamiento de consumo podría "dejar de subir" en el cuarto trimestre.
El 30 de julio, Tim Cook, director ejecutivo de Apple, en lo que fue su última conferencia de resultados al frente de la compañía, describió la actual ronda de aumento de precios del almacenamiento como "una inundación que ocurre una vez cada cien años". El margen bruto de los productos de Apple está bajo presión continua debido al aumento del coste de la memoria. Luca Maestri, director financiero de Apple, confirmó que la disminución trimestral consecutiva del margen bruto en los dos últimos trimestres "puede explicarse en más de un 100% por los cambios en el coste de la memoria", y que la orientación de la compañía para el margen bruto del próximo trimestre se revisó a la baja aún más, hasta el 47%-48%.
Wang Xudong calcula que, tomando como ejemplo un teléfono móvil de mil yuanes con configuración "4GB+128GB", el coste del almacenamiento como porcentaje del coste de los materiales del dispositivo completo ha aumentado desde el 22% en el tercer trimestre de 2025 hasta el 64% en el tercer trimestre de 2026. Prevé que en 2027 será difícil ver teléfonos inteligentes con un precio inferior a 1.500 yuanes.
Sin embargo, mientras el segmento de consumo se contrae, también se están acumulando nuevas fuentes de demanda.
Lin Meibing dijo al periodista que el crecimiento del almacenamiento para automoción (automotive-grade) en el mercado chino es muy fuerte. La rápida penetración de los sistemas ADAS (Advanced Driver Assistance Systems) está impulsando un aumento significativo de la demanda de capacidad de almacenamiento por parte de las cabinas inteligentes y las controladoras de dominio de conducción autónoma. Se espera que la tasa de crecimiento interanual del almacenamiento para automoción en China alcance el 70%-80%.
Además, se espera que la tecnología CXL (Compute Express Link, una tecnología de interconexión que permite el agrupamiento y compartición de memoria entre servidores) comience a despegar alrededor de 2028, con la adopción por parte de Nvidia y Google. Actualmente, los fabricantes ya tienen muestras, pero aún no se produce en masa. Además, el 4 de agosto, SK Hynix y SanDisk anunciaron conjuntamente la primera especificación estándar del sector para la memoria flash de alto ancho de banda HBF (una nueva capa de almacenamiento entre el HBM y las unidades de estado sólido), con envíos previstos para finales de 2027.
Después de 2028, si estas nuevas fuentes de demanda despegan, podrían compensar parcialmente el aumento de oferta derivado de la nueva capacidad de almacenamiento.
El citado director de producto del fabricante de módulos de memoria consideró que, aunque actualmente la pendiente del aumento de precios del almacenamiento se modera trimestre a trimestre, el volumen de beneficios de los tres gigantes en 2027 aún podría superar al de 2026. Subrayó que el foco del debate actual del mercado se centra en "cuándo alcanzará el ciclo su punto máximo", pero para los tres gigantes, la variable más importante podría ser hasta qué nivel llegará la proporción cubierta por los LTA. "El objetivo de Micron es más del 40%; Samsung ya está en el 60%-70%. Si finalmente la tasa media de cobertura de LTA del sector se estabiliza por encima del 50%, entonces, incluso si el mercado spot fluctúa, más de la mitad de los ingresos del fabricante original están bloqueados, y la volatilidad de sus beneficios será mucho menor que en cualquier ciclo anterior".
Este artículo procede del WeChat Official Account "Economic Observer", autor: Zheng Chenye
