撰文:Rita
8 月 23 日,高盛发布全球半导体资本设备行业报告,将 2026至 2028 年晶圆前端设备(WFE)预测上调至 1500 亿、2180 亿和 2810 亿美元,较此前预测分别高出 6%、17%和 35%。调整后三年同比增速为 36%、45%和 29%,此前预期为 28%、32%和 12%。
高盛认为,本轮上调主要受 DRAM 和先进制程代工的短期需求拉动,NAND 和逻辑/其他(包含 Terafab)将在中期接力。存储与逻辑两大板块同步扩张,设备行业的需求基础正在从单一结构转向多元驱动。
DRAM 设备支出加速,产能约束延续至 2028 年
DRAM 是本次上修幅度最大的细分领域。高盛将 2026至 2028年 WFE 预测从 460 亿、670 亿、740 亿美元上调至 480 亿、720 亿、970 亿美元,同比增速从 45%、45%、10%上调至 50%、50%、35%。三星和 SK 海力士的资本开支预测分别上调 22%和 19%。
HBM4是 DRAM 资本开支集中上修的直接推手。与 HBM3 相比,HBM4 采用更先进的封装架构,对硅通孔(TSV)密度、微凸块间距和热管理能力提出了更高要求。这意味着每万片月产能所需的刻蚀、沉积和检测设备投入将显著增加。高盛预计,即便 DRAM 资本开支维持高位,行业产能约束仍将持续至 2028 年,设备供应商的订单可见度将延续较长时间。
代工与逻辑同步扩张,Terafab 贡献增量
代工领域,高盛将 2026至 2028年 WFE 预测从 520 亿、680 亿、780 亿美元上调至 580 亿、840 亿、1090 亿美元,同比增速从 30%、30%、16%上调至 45%、45%、30%。台积电每年资本开支上修 80 亿美元,主要受 N2 制程强度提升和客户需求推动。
N2 是台积电首个采用环绕栅极(GAA)晶体管架构的量产节点。与 N3 相比,N2 的工艺复杂度更高,对 EUV 光刻、原子层沉积和选择性刻蚀等设备的用量明显增加。高盛预计未来几个季度 N2 将持续放量,拉动全链条设备采购。先进制程代工的设备强度显著高于成熟制程,每一代节点升级都意味着更高的单位产能设备投入。
逻辑/其他领域的 WFE 上修幅度同样可观。2026至 2028 年预测从 320 亿、350 亿、370 亿美元上调至 340 亿、470 亿、530 亿美元,同比增速从 5%、9%、6%上调至 11%、40%、12%。增量主要来自两方面:英特尔需求超预期,成熟制程和模拟市场复苏。
Terafab 是本次预测中一个不可忽视的新变量。高盛已将 SpaceX 与特斯拉承诺的约 168 亿美元 Terafab 初始阶段设备投入纳入逻辑/其他类别的 WFE 预测。Terafab 的初始设备采购涵盖光刻、刻蚀、沉积、检测等全类别,与逻辑芯片代工的设备需求高度重叠。Terafab 贡献了逻辑/其他板块的大部分增量。高盛认为,Terafab 的影响尚处早期,随着后续阶段逐步落地,该类目仍有上修空间。
NAND 方面,高盛将 2026至 2028 年预测维持在 110 亿、150 亿、220 亿美元,2027 年预测从 170 亿降至 150 亿,主要因部分厂商资本开支节奏调整。高盛预计 NAND 设备支出在近期以技术升级为主,供给偏紧格局将持续至 2027 年。
设备供应商全面受益 WFE 上修
高盛看多全球半导体设备股。重点推荐应用材料、泛林半导体、ASML、东京电子、ASMI、BESI、Lasertec 和荏原。
DRAM 扩产拉动刻蚀和沉积设备需求,应用材料和泛林半导体是主要受益者。HBM4对 TSV 刻蚀和铜填充沉积的精度要求极高,这两家公司在相关工艺环节拥有领先技术,订单能见度清晰。
代工 N2 制程放量拉动光刻设备采购。ASML的 EUV和 DUV 光刻机需求持续走高。N2对 EUV 层数的需求较 N3 增加了约 20%,且每层所需的曝光剂量更高,直接推高光刻设备消耗。检测设备商 Lasertec 同时受益于 DRAM 和逻辑两大板块的扩产。先进封装测试设备方面,BESI 和荏原受益于 HBM 封装复杂度提升。
高盛上调的不只是数字,还有对行业周期的判断。DRAM、代工、NAND、逻辑四大板块同步扩张,Terafab 开始贡献增量,设备行业的增长基础正在从单一结构性修复转向多元驱动。设备供应商的订单能见度和利润率都处于上升通道。
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本文系潮向研究对第三方券商研究报告(高盛,2026年 8月 23 日)的整理与解读,结合公开市场信息的整理。文中引述的评级、目标价、盈利预测及相关判断,均为该券商分析师的观点,仅代表其所属机构立场,不代表潮向研究的观点,也不构成任何投资建议。
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