Rédigé par : Rita
Le supercycle des puces mémoire se poursuit. Dans son rapport hebdomadaire mondial sur les technologies de mémoire publié le 7 août, Bank of America Securities a relevé ses prévisions de ventes mondiales pour le secteur DRAM à 5730 milliards de dollars en 2026, les portant à 8470 milliards en 2027 et à 9170 milliards en 2028. Bien que le prix moyen de vente (ASP) DRAM de SK Hynix n'ait augmenté que de 30% en séqueniel au deuxième trimestre, soit moins que les hausses de 45% à 70% des concurrents, un rebond rapide de 25% est attendu au troisième trimestre, et les volumes d'expédition HBM4 devraient également devenir plus significatifs. Cette semaine, les prix spot NAND ont rebondi de manière inattendue et vigoureuse, avec des hausses de 5% à 6% pour les produits 512Gb à 1Tb, et de plus de 10% pour les produits 256Gb, dépassant largement les tendances saisonnières. Bank of America estime que Samsung annoncera bientôt le retour d'une somme importante de liquidités aux actionnaires sous forme de rachats d'actions et de dividendes exceptionnels, avec un dividende exceptionnel attendu à plus de 30 000 milliards de wons et un programme de rachat supérieur à 40 000 milliards de wons.
Le supercycle de la mémoire se poursuit jusqu'en 2027, les ASP seront révisés à la hausse au quatrième trimestre
Bank of America a mis à jour son modèle de prévision pour l'industrie mondiale de la mémoire. Les ventes mondiales de DRAM devraient atteindre 5730 milliards de dollars en 2026, soit une croissance de 328%, 8470 milliards en 2027 (+48%), avant un léger recul à environ 9170 milliards en 2028 (-8%). Pour le secteur NAND, les ventes devraient atteindre 3575 milliards de dollars en 2026 (+341%), 4675 milliards en 2027 (+31%), puis diminuer d'environ 14% en 2028.
Concernant l'évolution des prix, Bank of America prévoit que l'ASP DRAM moyen du secteur augmentera de 8% en séqueniel au quatrième trimestre, et celui du NAND de 3%, avant de se stabiliser ou de connaître une correction modérée en 2027. Néanmoins, l'ASP moyen pour l'année 2027 restera supérieur à celui de 2026 en raison d'une base de comparaison faible au premier semestre. La baisse attendue en 2028 sera une correction douce plutôt qu'un atterrissage brutal, et le secteur devrait maintenir des niveaux de marge élevés. La croissance des bits DRAM est estimée à 25% en 2026, 19% en 2027 et 19% en 2028 ; celle du NAND à 20%, 19% et 19% respectivement.
La demande en HBM est au cœur de la pérennité de ce supercycle. Bank of America prévoit que le marché HBM atteindra 77,4 milliards de dollars en 2026 (+124%), puis 152,8 milliards en 2027 (+98%). La part du HBM dans le volume total d'expédition DRAM passera de 8,5% en 2025 à 11,7% en 2026 et 14,1% en 2027. L'ASP du HBM devrait augmenter de 30% pour atteindre 14,6 dollars par Go en 2026, puis de 38% à 20,2 dollars en 2027. Bank of America s'attend à ce que SK Hynix maintienne son leadership en volume d'expédition HBM, mais Samsung pourrait égaler voire dépasser sa part en capacité de production de plaquettes (« wafers ») HBM entre 2026 et 2027.
Rebond inattendu et vigoureux des prix spot NAND, le DRAM progresse également
Cette semaine, les prix spot NAND ont dépassé les attentes. Les produits 512Gb à 1Tb ont augmenté de 5% à 6%, et les produits 256Gb de plus de 10%. Bank of America attribue cela aux approvisionnements des fabricants d'équipements d'origine (OEM) de deuxième et troisième niveaux en prévision des lancements de nouveaux modèles pour la saison forte de septembre et du quatrième trimestre. Les prix spot DRAM ont également rebondi davantage, avec des hausses de 1% à 2% en séqueniel, correspondant à des augmentations trimestrielles d'environ 20% à 40%. Globalement, la performance des prix spot est meilleure que la tendance saisonnière, et l'offre des DRAM et NAND traditionnels reste tendue.
Le chiffre d'affaires de Nanya Technology en juillet a atteint 44 milliards de dollars taïwanais, en hausse de 49% en séqueniel et de 720% en glissement annuel. Les exportations sud-coréennes de semi-conducteurs en juillet ont atteint 42 milliards de dollars, en baisse de 9% en séqueniel mais toujours en forte croissance de 179% en glissement annuel. L'indicateur mémoire de Bank of America a affiché une lecture de 183 en juin, restant proche de ses plus hauts historiques, bien au-dessus des niveaux du cycle intermédiaire (100) et du cycle précédent (130).
Samsung lance un retour massif de capital, expansion continue de la capacité HBM
Samsung Electronics devrait annoncer prochainement plus de détails sur ses rachats d'actions et ses distributions de dividendes. Selon les déclarations du directeur financier lors de la conférence téléphonique sur les résultats du 30 juillet, Samsung utilisera 50% de ses flux de trésorerie disponibles de 2024 à 2026 (après déduction du dividende annuel de 10 000 milliards de wons déjà versé) pour rémunérer ses actionnaires. Bank of America estime que le plan d'exécution pourrait inclure : un dividende exceptionnel supérieur à 30 000 milliards de wons au troisième ou quatrième trimestre, le lancement d'un rachat d'actions de plus de 40 000 milliards de wons au premier semestre 2027, et un dividende de fin d'année d'environ 30 000 milliards de wons en avril 2027. De plus, Samsung aurait besoin de plus de 30 000 milliards de wons d'actions propres (« treasury shares ») pour des primes spéciales aux employés. Bank of America s'attend à ce que SK Hynix utilise également 50% de ses flux de trésorerie disponibles pour la rémunération des actionnaires, avec un effort de rachat potentiellement supérieur à celui des dividendes en espèces.
Concernant la capacité de production HBM, Bank of America prévoit qu'elle atteindra 476 000 plaquettes (« wafers ») par mois en 2026 (soit 22,6% de la capacité DRAM totale) et 741 000 par mois en 2027 (26,6%). La part de Samsung en capacité de production de plaquettes HBM pourrait passer de 37% en 2025 à 39% en 2027, se rapprochant ainsi des 40% de SK Hynix. Le HBM4 et le HBM4e seront les produits phares de 2026 à 2027, tandis que le HBM5 et les générations supérieures commenceront à pénétrer progressivement le marché à partir de 2027.
Le supercycle de la mémoire évolue d'une dynamique portée par les prix vers une dynamique portée à la fois par les volumes et les prix. Le léger recul attendu de l'ASP du secteur en 2028 ne doit pas être interprété comme la fin du cycle. La croissance continue des volumes HBM et la demande structurelle des serveurs d'IA sont en train de remodeler le modèle de rentabilité de l'industrie de la mémoire. Le programme de rachat massif et le dividende exceptionnel de Samsung fourniront un soutien à la valorisation, et l'indicateur mémoire de Bank of America, toujours proche de ses plus hauts historiques, indique que la dynamique sectorielle ne s'est pas encore atténuée. La tension entre l'offre et la demande pour le DRAM et le NAND ne devrait pas s'inverser avant 2027, et la fin du supercycle pourrait être plus lointaine que ce que le marché anticipe.
Avertissement
Cet article est une compilation et une interprétation par Chao Xiang Yan Jiu (潮向研究) d'un rapport de recherche d'un courtier tiers (Bank of America Securities, 7 août 2026), combinée à des informations publiques. Les notations, prix cibles, prévisions de bénéfices et jugements connexes cités dans le texte sont les opinions de l'analyste de ce courtier, ne représentent que la position de son institution et ne reflètent pas les opinions de Chao Xiang Yan Jiu, ni ne constituent aucun conseil en investissement.
Le marché comporte des risques, les décisions doivent être prises de manière indépendante. Cet article ne doit pas servir de base à l'achat ou à la vente de titres.
