Escrito por: Rita
La industria de semiconductores de China ha alcanzado un nivel significativo en términos de "cantidad", pero persiste una gran brecha en la "calidad".
Goldman Sachs publicó el 24 de agosto su cuarto informe anual de la serie "Chip Act", señalando que hasta junio de 2026, la tasa de autosuficiencia en el número de circuitos integrados (IC) de semiconductores en China alcanzó el 70%, casi el doble del 38% registrado en enero de 2010. Sin embargo, la brecha en la tasa de autosuficiencia por valor sigue siendo enorme, siendo el cuello de botella principal la falta de equipos de litografía. Goldman Sachs revisó al alza su pronóstico de gasto de capital para los semiconductores chinos en 2030 a 82 mil millones de dólares, un aumento del 79% respecto a la previsión anterior, para captar el crecimiento de la demanda impulsado por el aumento de la autosuficiencia, la IA generativa y las estrategias de "localización" de los clientes. El informe cubre por primera vez al líder chino en DRAM, ChangXin Memory Technologies (CXMT), otorgándole una calificación de compra y un precio objetivo de 129 yuanes.
Revisión significativa al alza del gasto de capital, la brecha en procesos avanzados se reduce aceleradamente
Goldman Sachs espera que el gasto de capital en semiconductores de China mantenga una tasa de crecimiento anual del 10% al 15% entre 2026 y 2030, alcanzando los 82 mil millones de dólares en 2030. Se prevé que el gasto en equipos de fabricación de obleas (WFE) crezca un 13%, 20% y 15% en 2026, 2027 y 2028, respectivamente, impulsado principalmente por inversiones en memoria y procesos avanzados.
La brecha entre oferta y demanda en los procesos lógicos avanzados se está reduciendo rápidamente. Los modelos de Goldman Sachs muestran que la demanda china de obleas de 7 nm e inferiores crecerá a una tasa compuesta anual del 17% desde 2025 hasta 2035, alcanzando 619 mil obleas por mes en 2035, impulsada principalmente por la demanda de servidores de IA. La demanda de obleas para servidores de IA crecerá a una tasa compuesta anual del 42% en el mismo período. El crecimiento del lado de la oferta es aún más rápido, con una tasa compuesta anual del 46% en la oferta de obleas de 7 nm e inferiores desde 2025 hasta 2035, alcanzando 410 mil obleas por mes en 2035, beneficiándose principalmente de la expansión anual de capacidad de 30 a 50 mil obleas por mes por parte de SMIC, y de la mejora gradual del rendimiento del 23% en 2026 al 75% en 2035. La brecha entre oferta y demanda se reducirá del 92% en 2025 al 34% en 2035.
Fuerte crecimiento en los mercados de chips de IA y DRAM, se esperan 6,78 billones y 2,57 billones de dólares
Goldman Sachs publica por primera vez estimaciones del mercado total direccionable (TAM) para chips de IA y DRAM en China. En el escenario base, se espera que el mercado chino de chips de IA alcance los 6,78 billones de dólares en 2030, con una tasa compuesta anual de crecimiento del 69% entre 2025 y 2030. Este volumen corresponde a una producción de 27 millones de chips de IA equivalentes al H800 y una demanda de energía para TI de 32 GW. En un escenario más optimista, el mercado de chips de IA podría alcanzar los 41 billones de dólares, correspondiendo a 238 millones de chips y una demanda de energía de 196 GW.
El mercado chino de DRAM también se está expandiendo rápidamente. Goldman Sachs prevé una tasa compuesta anual de crecimiento del 50% para el mercado chino de DRAM entre 2026 y 2028, alcanzando los 2,57 billones de dólares en 2028. El HBM crecerá a una tasa compuesta anual del 188%, alcanzando los 32 mil millones de dólares en 2028, reflejando la fuerte demanda de memoria de alto ancho de banda para inferencia y entrenamiento de IA.
ChangXin Memory Technologies (CXMT) se está consolidando como un proveedor clave del mercado chino de DRAM. Goldman Sachs espera que su capacidad aumente de 270 mil obleas por mes en 2026 a 447 mil en 2028, más del doble para 2030, alcanzando 665 mil obleas por mes. El gasto de capital anual promedio entre 2026 y 2030 aumentará desde los 60 mil millones de yuanes (2024-2025) a 84 mil millones de yuanes (aproximadamente 12 mil millones de dólares). Se espera que la oferta de DRAM convencional de CXMT alcance el 41% y 50% de la de Samsung y SK Hynix en 2028, respectivamente, frente al 28% y 35% en 2025. En cuanto al HBM, Goldman Sachs prevé que los ingresos de CXMT por HBM crezcan a una tasa compuesta anual del 166% entre 2026 y 2030.
Aceleración de la sustitución de equipos locales, los proveedores globales siguen siendo clave
La tasa de localización de equipos de semiconductores en China está aumentando constantemente. Goldman Sachs espera que la cuota de ingresos de los fabricantes locales de equipos en el mercado doméstico de WFE pase del 31% al 38% entre 2026 y 2028. La deposición, el grabado y la litografía son las tres categorías más grandes del mercado WFE, y se prevé que el mercado chino de WFE alcance los 53 mil millones de dólares en 2027.
Los proveedores japoneses de equipos siguen beneficiándose de la expansión del mercado chino. Los ingresos combinados en China de cuatro importantes empresas japonesas de equipos de proceso frontal (Tokyo Electron, SCREEN, Kokusai Electric y Ebara) alcanzaron los 1,21 billones de yenes en el año fiscal 2025, representando el 35% de sus ingresos por equipos de semiconductores. Esta proporción ha disminuido desde el 41% del año fiscal 2024, aunque las cuatro empresas esperan que sus ingresos en China continúen creciendo en términos absolutos. Las fundiciones chinas, al avanzar hacia nodos más avanzados, dependen más de proveedores de equipos no chinos para garantizar el rendimiento.
Los proveedores estadounidenses de equipos enfrentan presiones de controles de exportación; Goldman Sachs cree que sus envíos a China se mantendrán alrededor del 25% de sus ingresos. Goldman Sachs mantiene una visión positiva sobre las acciones globales de equipos, esperando que el WFE crezca un 36% y 45% en 2026 y 2027, respectivamente, con equipos de grabado y deposición beneficiándose de la expansión de transistores GAA, NAND 3D y empaquetado avanzado. En su cobertura estadounidense, recomienda prioritariamente Applied Materials, Lam Research y Onto Innovation.
CXMT se beneficia de la doble dinámica de escasez y demanda de IA
ChangXin Memory Technologies (CXMT) es la única empresa integrada de fabricación y diseño (IDM) de DRAM en China que logra producción en masa a gran escala, cubriendo el diseño y fabricación de chips DRAM, y sirviendo a los principales proveedores de servicios en la nube y marcas de electrónica de consumo del país. Goldman Sachs espera que su beneficio neto crezca a una tasa compuesta anual del 47% entre 2026 y 2030.
El crecimiento proviene de dos factores: la expansión de la infraestructura de IA en China impulsa la demanda de DRAM para servidores y HBM; y los clientes de electrónica de consumo diversifican su red de proveedores para garantizar la seguridad del suministro. Goldman Sachs espera que el DRAM convencional de CXMT crezca a una tasa compuesta anual del 34% entre 2026 y 2030.
El precio objetivo de 129 yuanes se basa en un método de descuento de PER a 2030, con un PER objetivo de 16,6 veces, descontado a 2027. Esta valoración implica un PER de 24 veces para 2027, correspondiente a un crecimiento promedio del beneficio por acción del 77% entre 2027 y 2028, con un PEG de 0,31 veces, significativamente inferior al de Cambricon (1,12 veces), Silergy (1,46 veces) y AMEC (2,21 veces). Goldman Sachs considera que la escasez, la mejora de la cartera de productos y la demanda de IA de CXMT hacen que su valoración sea atractiva.
Los riesgos a la baja incluyen una mayor competencia en el mercado, un rendimiento inferior al esperado de la demanda final y la incertidumbre geopolítica.
La industria de semiconductores de China se encuentra en una etapa crucial de transición de la "expansión cuantitativa" al "avance cualitativo". La revisión al alza del gasto de capital, la reducción continua de la brecha entre oferta y demanda en procesos avanzados y la explosión de la demanda de chips de IA y HBM son tres líneas principales entrelazadas que impulsan conjuntamente la revaluación de la cadena de valor. La sustitución de equipos locales, el auge de los líderes en memoria y la infraestructura de computación para IA constituyen tres direcciones principales con una alta certidumbre.
Descargo de responsabilidad
Este artículo es una recopilación e interpretación por parte de Chao Xiang Research de un informe de investigación de un tercer corredor (Goldman Sachs, 24 de agosto de 2026), combinado con información del mercado público. Las calificaciones, precios objetivo, pronósticos de ganancias y juicios relacionados citados en el texto son opiniones del analista de dicho corredor, representan únicamente la posición de su institución, no representan la opinión de Chao Xiang Research y no constituyen ningún consejo de inversión.
El mercado tiene riesgos, las decisiones deben ser independientes. Este artículo no debe utilizarse como base para comprar o vender ningún valor.
