Rédacteur : Rita
L'industrie des semi-conducteurs en Chine a rattrapé son retard en "quantité", mais l'écart en "qualité" reste considérable.
Dans son quatrième rapport annuel de la série "CHIPS Act" publié le 24 août, Goldman Sachs indique que d'ici juin 2026, le taux d'autosuffisance quantitatif (en unités) des circuits intégrés (CI) semi-conducteurs chinois a atteint 70 %, soit près du double du taux de 38 % enregistré en janvier 2010. L'écart en termes de taux d'autosuffisance en valeur reste toutefois important, le principal goulot d'étranglement résidant dans l'absence d'équipements de lithographie. Goldman Sachs a relevé ses prévisions de dépenses en capital pour les semi-conducteurs chinois en 2030 à 82 milliards de dollars, une hausse de 79 % par rapport à la prévision précédente, afin de saisir la croissance de la demande tirée par l'amélioration du taux d'autosuffisance, l'IA générative et les stratégies de "localisation" des clients. Le rapport couvre pour la première fois le leader chinois de la DRAM, ChangXin Memory Technologies (CXMT), avec une recommandation "Acheter" et un objectif de cours de 129 yuans.
Dépenses en capital fortement révisées à la hausse, l'écart sur les nœuds avancés se réduit rapidement
Goldman Sachs prévoit que les dépenses en capital des semi-conducteurs chinois maintiendront un taux de croissance annuel de 10 % à 15 % entre 2026 et 2030, atteignant 82 milliards de dollars en 2030. Les dépenses en équipements front-end de wafers augmenteront de 13 %, 20 % et 15 % respectivement en 2026, 2027 et 2028, principalement grâce aux investissements dans la mémoire et les nœuds avancés.
L'écart entre l'offre et la demande pour les nœuds logiques avancés se réduit à un rythme accéléré. Le modèle de Goldman Sachs montre que la demande chinoise en wafers de 7 nm et moins croît à un taux annuel composé (TCAC) de 17 % entre 2025 et 2035, pour atteindre 619 000 wafers/mois en 2035, principalement tirée par la demande des serveurs d'IA. Le TCAC de la demande en wafers pour serveurs d'IA sur la même période est de 42 %. La croissance du côté de l'offre est encore plus rapide, avec une offre de wafers de 7 nm et moins qui augmente à un TCAC de 46 % de 2025 à 2035, atteignant 410 000 wafers/mois en 2035. Cette croissance bénéficie principalement de l'expansion de capacité de 30 000 à 50 000 wafers/mois supplémentaires par an de SMIC, ainsi que de l'amélioration progressive du taux de rendement, passant de 23 % en 2026 à 75 % en 2035. L'écart entre l'offre et la demande devrait ainsi se réduire, passant de 92 % en 2025 à 34 % en 2035.
Forte croissance du marché des puces IA et de la DRAM, 678 et 257 milliards de dollars attendus
Goldman Sachs publie pour la première fois une estimation du marché adressable total (TAM) pour les puces IA et la DRAM en Chine. Dans le scénario de base, la taille du marché chinois des puces IA atteindra 678 milliards de dollars en 2030, avec un TCAC de 69 % entre 2025 et 2030. Cette taille correspond à un volume d'expédition de 27 millions de puces IA équivalentes H800 et à une demande en électricité informatique de 32 GW. Dans un scénario plus optimiste, le marché des puces IA pourrait atteindre 4,1 billions de dollars, correspondant à 238 millions de puces et une demande en électricité de 196 GW.
Le marché chinois de la DRAM est également en expansion rapide. Goldman Sachs prévoit un TCAC de 50 % pour le marché chinois de la DRAM entre 2026 et 2028, atteignant 257 milliards de dollars en 2028. Le TCAC de la HBM est de 188 %, atteignant 32 milliards de dollars en 2028, reflétant la forte demande en mémoire à large bande passante pour l'inférence et l'entraînement de l'IA.
ChangXin Memory Technologies (CXMT) devient un fournisseur central du marché chinois de la DRAM. Goldman Sachs prévoit que sa capacité passera de 270 000 wafers/mois en 2026 à 447 000 wafers/mois en 2028, pour plus que doubler d'ici 2030 à 665 000 wafers/mois par rapport à 2026. Les dépenses en capital annuelles moyennes entre 2026 et 2030 passeront de 60 milliards de yuans (environ 8,4 milliards de dollars) en 2024-2025 à 84 milliards de yuans (environ 12 milliards de dollars). L'offre de DRAM conventionnelle de CXMT pourrait atteindre 41 % et 50 % de celle de Samsung et SK Hynix en 2028, contre respectivement 28 % et 35 % en 2025. Concernant la HBM, Goldman Sachs prévoit un TCAC de 166 % pour les revenus HBM de CXMT entre 2026 et 2030.
La substitution par des équipements nationaux s'accélère, les fournisseurs mondiaux restent clés
Le taux de localisation des équipements semi-conducteurs en Chine augmente régulièrement. Goldman Sachs prévoit que la part des revenus des fabricants d'équipements chinois sur le marché intérieur des équipements de fabrication de wafers (WFE) passera de 31 % en 2026 à 38 % en 2028. La déposition, la gravure et la lithographie sont les trois plus grandes catégories du marché WFE. Le marché chinois des WFE atteindra 53 milliards de dollars en 2027.
Les fournisseurs japonais d'équipements continuent de bénéficier de l'expansion du marché chinois. Les revenus chinois combinés de quatre sociétés japonaises d'équipements front-end - Tokyo Electron, SCREEN, Kokusai Electric et Ebara - ont atteint 1,21 billion de yens pour l'exercice 2025, représentant 35 % de leurs revenus dans les équipements semi-conducteurs. Cette proportion a diminué par rapport aux 41 % de l'exercice 2024, mais les quatre entreprises s'attendent à une croissance continue en valeur absolue de leurs revenus chinois. Les fonderies chinoises, en progressant vers des nœuds plus avancés, dépendent davantage des fournisseurs d'équipements non chinois pour garantir le taux de rendement.
Les fournisseurs américains d'équipements sont confrontés à la pression des contrôles à l'exportation. Goldman Sachs estime que leurs expéditions vers la Chine se stabiliseront autour de 25 % de leurs revenus. Goldman Sachs reste positif sur les actions des équipementiers mondiaux, avec une croissance du WFE de 36 % et 45 % respectivement en 2026 et 2027. Les équipements de gravure et de déposition bénéficient de l'expansion des transistors à grille entourante (GAA), de la NAND 3D et des emballages avancés. Parmi les sociétés américaines couvertes, Applied Materials, Lam Research et Onto Innovation sont recommandées en priorité.
CXMT bénéficie d'une double impulsion : rareté et demande d'IA
ChangXin Memory Technologies (CXMT) est la seule entreprise IDM de DRAM en Chine à avoir réalisé une production de masse à grande échelle, couvrant la conception et la fabrication des puces DRAM, et servant les principaux fournisseurs de services cloud et marques d'électronique grand public du pays. Goldman Sachs prévoit un TCAC de 47 % pour son bénéfice net entre 2026 et 2030.
La croissance provient de deux aspects : l'expansion de l'infrastructure d'IA en Chine stimule la demande en DRAM pour serveurs et HBM ; et les clients de l'électronique grand public diversifient leur réseau de fournisseurs pour assurer la sécurité d'approvisionnement. Goldman Sachs prévoit un TCAC de 34 % pour la DRAM conventionnelle de CXMT entre 2026 et 2030.
L'objectif de cours de 129 yuans est basé sur une méthode d'actualisation du PER 2030, avec un PER cible de 16,6x, actualisé jusqu'en 2027. Cette valorisation implique un PER de 24x pour 2027, correspondant à une croissance moyenne du BPA de 77 % en 2027-2028 et un PEG de 0,31x, nettement inférieur à celui de Cambricon (1,12x), Silergy (1,46x) et AMEC (2,21x). Goldman Sachs estime que la rareté de CXMT, l'amélioration de son portefeuille produits et la demande d'IA rendent sa valorisation attractive.
Les risques à la baisse incluent une intensification de la concurrence sur le marché, une demande finale inférieure aux attentes, et les incertitudes géopolitiques.
L'industrie des semi-conducteurs chinoise se trouve à une étape clé de la transition de "l'expansion quantitative" vers de "la percée qualitative". La révision à la hausse significative des dépenses en capital, la réduction continue de l'écart entre l'offre et la demande sur les nœuds avancés, et l'explosion de la demande en puces IA et HBM sont trois lignes directrices entrelacées qui poussent conjointement à une réévaluation de la valeur de la chaîne d'approvisionnement. La substitution par des équipements nationaux, l'essor des leaders de la mémoire et les infrastructures de calcul d'IA constituent trois directions principales à forte certitude.
Clause de non-responsabilité
Cet article est une synthèse et une interprétation par Trend Research d'un rapport de recherche tiers (Goldman Sachs, 24 août 2026), combinée à des informations du marché public. Les notations, prix cibles, prévisions de bénéfices et jugements connexes cités dans le texte sont les points de vue de l'analyste de cette société de courtage, représentant uniquement la position de leur institution affiliée. Ils ne représentent pas le point de vue de Trend Research et ne constituent aucune recommandation d'investissement.
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