《集成电路布图设计保护条例》系统性修订的三个产业信号

marsbit發佈於 2026-08-04更新於 2026-08-04

文章摘要

2026年7月,《集成电路布图设计保护条例》完成首次系统性修订,将于同年10月施行。修订释放了三个主要产业信号:一是将保护范围从“半导体集成电路”扩展至包含光子、量子等功能的集成电路,以回应后摩尔时代的技术发展,利好硅光、量子芯片等新兴领域的企业。二是引入“独创性声明”制度,要求申请人明确标示布图设计的独创性部分,并完善了驳回、撤销与权利恢复程序,旨在解决以往维权中权利范围界定难的问题。三是显著加大侵权惩处力度,对故意且情节严重的侵权适用1至5倍的惩罚性赔偿,改变了以往侵权成本低的状况。 此次修订整体构建了“激励创作—明确权利—严惩侵权”的保护闭环。受益方包括从事前沿芯片设计的企业和IP供应商,其权利基础更为稳固;而依赖反向工程的跟随型企业和虚假登记申请人将面临更大压力,封装测试厂的合规审查义务也有所抬升。条例施行后,司法实践将对权利基础、独创性及商业利用时间进行严格审查,企业需在约70天的窗口期内自查知识产权资产并完善登记文件,以充分适应新规并维护自身权益。

2026年7月23日,国务院总理李强签署第842号国务院令,公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》(以下简称《条例》),自2026年10月15日起施行,《条例》共6章54条。这是该条例自2001年10月1日实施以来20多年间的首次系统性修订。

司法部、国家知识产权局在答记者问中明确,此次修订主要涉及扩展保护范围、完善申请登记程序、加大侵权赔偿、促进布图设计运用等多方面。结合官方解读与司法实践,可以读出三个清晰的产业信号。

保护范围从"半导体"扩充至"半导体+光子+量子",立法回应后摩尔时代

修订前《条例》将保护对象明确限定于半导体集成电路。修订后,在与"集成电路"定义有关的条文表述上删除了"半导体集成电路"字样,将集成光子、量子等功能的集成电路的布图设计也纳入法定保护范围。

这一改动的产业背景是:传统集成电路晶体管制程已趋近工艺与物理边界,光子、量子等新技术路径不断涌现,集成电路迈入以新架构、新机理、新材料、新器件为竞争主线的后摩尔时代。

立法的潜台词是:中国不再是知识产权制度上的保守主义者。删除"半导体"三字,表面是冗余割舍,实质是向光子计算、量子芯片等下一代电路设计企业发出信号:你的布图设计在国内可以获得专有权保护。

这对两类企业影响最直接:一类是从事硅光互连、光电共封装(CPO)的芯片设计公司,其布图设计过去处在保护灰色地带;另一类是量子芯片研发机构,其布图设计现在有了明确的法定权利基础。

独创性声明制度补上"维权难"最大短板

20多年的司法实践中,布图设计专有权的保护范围难以界定一直是权利人最头疼的问题。最高人民法院指导性案例218号(苏州赛某诉深圳裕某案)明确:取得布图设计登记,并不当然意味着登记的布图设计内容具有独创性,权利人仍应当对其主张权利的布图设计的独创性作出合理解释或者说明。

修订后的《条例》针对性地引入独创性声明制度:

  • 申请人提交的复制件或者图样应当包含布图设计的必要信息,能够清楚地显示该布图设计具有独创性的部分

  • 独创性声明应当指明设计区域、设计要点及相应功能

  • 专有权的保护范围以复制件或图样为准,独创性声明用于解释独创性部分

同时,修订还完善了驳回、撤销制度,新增依第三方请求启动的撤销程序:任何人发现登记不符合规定的,可以请求国务院知识产权行政部门撤销布图设计登记,登记被撤销的专有权视为自始即不存在。

此外新增权利恢复程序,当事人因不可抗拒的事由或其他正当理由延误期限导致权利丧失的,可以请求恢复其权利。

这些修改的实务意义是:发生侵权纠纷时,法庭可以更便捷地进行侵权比对。诉讼当事人双方和裁判者都受益。

侵权赔偿从"填平"走向"惩罚",故意侵权最高5倍

在专有权保护方面,修订力度显著加大:侵权赔偿额按照权利人受到的实际损失或者侵权人获得的利益确定。难以确定的,参照许可使用费的倍数合理确定。情节严重的,适用惩罚性赔偿,对故意侵权且情节严重的适用1至5倍惩罚性赔偿。

这是一个质的转变。在"钜锐案"(上海首例集成电路布图设计纠纷案)中,钜泉公司诉请赔偿1500万元,终审判决锐能微公司赔偿经济损失等共320万元。旧条例框架下,侵权代价与权利人诉求之间往往存在巨大落差。

新条例下,故意侵权且情节严重的将适用1至5倍惩罚性赔偿,这意味着侵权成本核算逻辑的根本改变,抄袭一张布图的代价,可能不再是"被发现后赔一次",而是"按许可费数倍持续买单"。

配合条例明确要求法人对符合条件的创作人员给予合理奖励和报酬,整个制度设计形成了"激励创作—明确权利—严惩侵权"的闭环。

产业影响:谁受益,谁承压

受益方:

  • IC设计企业尤其是从事硅光、量子芯片、Chiplet互联设计的公司,专有权基础更牢固。而1到5倍罚款也给了中小芯片设计企业对抗大厂抄袭的法律工具

  • IP供应商独创性声明制度让IP授权合同的维权取证更直接

承压方:

  • 依赖反向工程的跟随型企业侵权成本陡增,旧有的"抄近路"模式难以为继

  • 虚假登记申请人条例明确规定登记申请应当以真实创作活动为基础,不得弄虚作假,从源头上规制虚假申请行为

  • 封装测试厂虽然最高法在(2022)最高法知民终565号案中明确,缺乏证据时不能当然认定封装企业知道权利状况,但收到起诉状后就要支付合理报酬,合规审查义务实际上抬升

一个值得持续观察的问题

条例修订解决了"规则供给",但规则的执行强度仍要在2026年10月15日之后的司法实践中检验。最高法(2025)最高法知民终452号案已经展现出法院在布图设计侵权诉讼中对权利基础的主动审查倾向,即便是已获登记的布图设计,若申请登记时间超过首次商业利用时间两年以上,法院不予保护。

这意味着:新条例的1至5倍惩罚性赔偿条款,将与法院对权利基础、独创性、商业利用时间的严格审查并行发挥作用。对于IC设计企业而言,专有权保护既是盾牌也是警钟,其自身布图设计的登记时机、独创性声明的撰写质量、商业利用时间的证据留存,将直接决定维权时的赔偿上限。

条例2026年10月15日施行,留给企业自查IP资产、补强登记文件的时间窗口约为70天。

本文来自微信公众号: TechSugar ,作者:谈芯

相關問答

Q《集成电路布图设计保护条例》此次系统性修订主要围绕哪几个方面?

A此次修订主要涉及四个方面:一是扩展保护范围,将集成光子、量子等功能的集成电路布图设计纳入法定保护;二是完善申请登记程序,引入了独创性声明制度,并新增了第三方请求撤销、权利恢复等程序;三是加大侵权赔偿力度,引入了惩罚性赔偿条款;四是促进布图设计的运用。

Q条例修订后将保护范围从‘半导体集成电路’扩展到了哪些领域?这背后反映了怎样的产业背景?

A修订后,保护范围扩展至‘半导体+光子+量子’等功能的集成电路布图设计。这一改动反映了集成电路产业正迈入‘后摩尔时代’的产业背景。传统半导体晶体管制程趋近物理极限,光子计算、量子芯片等新技术路径不断涌现,成为新的竞争主线。立法上的扩展旨在为这些下一代电路设计企业提供明确的专有权保护。

Q新引入的‘独创性声明制度’旨在解决司法实践中的什么问题?具体有哪些要求?

A该制度旨在解决过去权利人维权时,布图设计专有权的保护范围难以界定、独创性难以证明的‘维权难’问题。具体而言,该制度要求申请人在提交的复制件或图样中,必须包含能清楚显示布图设计独创性部分的必要信息;独创性声明本身需要指明独创性的设计区域、设计要点及其相应功能。这有助于在侵权诉讼中更便捷地进行比对。

Q新版条例在侵权赔偿方面作出了哪些关键性改变?这对侵权行为的成本核算逻辑有何影响?

A关键改变是引入了惩罚性赔偿条款。对于故意侵权且情节严重的,可以在权利人实际损失、侵权人获益或许可费倍数确定的赔偿数额基础上,适用1至5倍的惩罚性赔偿。这使得侵权成本核算逻辑发生了根本改变,抄袭行为可能面临按许可费数倍‘持续买单’的沉重代价,而不再是‘被发现后赔一次’的较低代价,显著提升了侵权成本。

Q根据文章分析,条例修订后,哪些类型的市场主体将直接受益,哪些将面临更大合规压力?

A受益方主要包括:从事硅光、量子芯片、Chiplet互联等前沿设计的IC设计公司,其专有权基础更牢固;中小芯片设计企业,获得了对抗大厂抄袭的法律工具;IP供应商,独创性声明制度让授权维权更直接。承压方主要包括:依赖反向工程的跟随型企业,侵权成本陡增;虚假登记申请人,条例从源头进行规制;封装测试厂,其合规审查义务实际上升。

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