Người viết: Rita
Siêu chu kỳ chip bộ nhớ vẫn đang tiếp diễn. Trong báo cáo hàng tuần toàn cầu về công nghệ bộ nhớ được phát hành vào ngày 7/8, BofA Securities đã điều chỉnh dự báo doanh số ngành DRAM toàn cầu năm 2026 lên 573 tỷ USD, tăng lên 847 tỷ USD vào năm 2027 và đạt 917 tỷ USD vào năm 2028. Mặc dù giá bán trung bình (ASP) DRAM của SK Hynix trong quý II chỉ tăng 30% so với quý trước, thấp hơn mức tăng từ 45% đến 70% của các đối thủ cùng ngành, nhưng quý III dự kiến sẽ đón nhận sự phục hồi nhanh 25%, và sản lượng HBM4 cũng sẽ tăng trưởng đáng kể hơn. Giá giao ngay NAND trong tuần này đã tăng mạnh ngoài dự kiến, sản phẩm 512Gb đến 1Tb tăng 5% đến 6%, sản phẩm 256Gb tăng hơn 10%, vượt xa quy luật theo mùa. BofA cho rằng Samsung sắp công bố việc hoàn trả lượng tiền mặt lớn cho cổ đông dưới hình thức mua lại cổ phiếu và cổ tức đặc biệt, dự kiến quy mô cổ tức đặc biệt vượt 30 nghìn tỷ Won Hàn Quốc và quy mô mua lại vượt 40 nghìn tỷ Won Hàn Quốc.
Siêu chu kỳ bộ nhớ kéo dài đến 2027, ASP quý IV sẽ được điều chỉnh tăng lần nữa
BofA đã cập nhật mô hình dự báo ngành bộ nhớ toàn cầu. Doanh số ngành DRAM toàn cầu năm 2026 dự kiến đạt 573 tỷ USD, tăng 328% so với năm trước, năm 2027 đạt 847 tỷ USD, tăng 48%, năm 2028 giảm nhẹ xuống còn 917 tỷ USD, giảm khoảng 8%. Doanh số ngành NAND năm 2026 dự kiến đạt 357,5 tỷ USD, tăng 341%, năm 2027 đạt 467,5 tỷ USD, tăng 31%, năm 2028 giảm khoảng 14%.
Về lộ trình giá, BofA dự kiến ASP DRAM trung bình ngành trong quý IV sẽ tăng 8% so với quý trước, NAND tăng 3%, sau đó duy trì ổn định hoặc điều chỉnh nhẹ vào năm 2027. Tuy nhiên, ASP trung bình cả năm 2027 vẫn cao hơn năm 2026 do cơ sở nửa đầu năm thấp. Việc ASP năm 2028 giảm sẽ là điều chỉnh nhẹ chứ không phải hạ cánh cứng, ngành vẫn sẽ duy trì mức lợi nhuận cao. Tốc độ tăng trưởng bit DRAM năm 2026 dự kiến là 25%, năm 2027 là 19%, năm 2028 là 19%; tốc độ tăng trưởng bit NAND lần lượt là 20%, 19%, 19%.
Nhu cầu HBM là cốt lõi hỗ trợ siêu chu kỳ. BofA dự kiến quy mô thị trường HBM năm 2026 sẽ đạt 77,4 tỷ USD, tăng 124%, năm 2027 tăng lên 152,8 tỷ USD, tăng 98%. Tỷ trọng HBM trong tổng sản lượng DRAM sẽ tăng từ 8,5% năm 2025 lên 11,7% năm 2026 và đạt 14,1% năm 2027. ASP HBM năm 2026 dự kiến tăng 30% lên 14,6 USD/GB, năm 2027 tăng 38% lên 20,2 USD. BofA dự kiến SK Hynix sẽ duy trì dẫn đầu về sản lượng HBM, nhưng thị phần năng lực sản xuất wafer HBM của Samsung có khả năng bắt kịp hoặc thậm chí vượt qua trong giai đoạn 2026-2027.
Giá giao ngay NAND phục hồi mạnh bất ngờ, DRAM đồng thời tăng cao
Tuần này, biểu hiện giá giao ngay NAND vượt kỳ vọng. Sản phẩm 512Gb đến 1Tb tăng 5% đến 6%, sản phẩm 256Gb tăng hơn 10%, BofA cho rằng điều này liên quan đến việc các OEM cấp 2 và cấp 3 chuẩn bị hàng cho các mẫu máy mới trong mùa cao điểm tháng 9 và quý IV. Giá giao ngay DRAM cũng phục hồi thêm, tăng 1% đến 2% so với tuần trước, tương ứng mức tăng theo quý khoảng 20% đến 40%. Nhìn chung, biểu hiện giá giao ngay tốt hơn quy luật theo mùa, nguồn cung DRAM và NAND truyền thống vẫn ở mức căng thẳng.
Doanh thu tháng 7 của Nanya Technology đạt 44 tỷ Đài tệ, tăng 49% so với tháng trước, tăng 720% so với cùng kỳ. Kim ngạch xuất khẩu bán dẫn Hàn Quốc tháng 7 đạt 42 tỷ USD, giảm 9% so với tháng trước nhưng vẫn tăng trưởng mạnh 179% so với cùng kỳ. Chỉ số Bộ nhớ của BofA tháng 6 đạt 183, vẫn ở gần mức cao kỷ lục, cao hơn nhiều so với mức trung kỳ tăng trưởng (100) và mức chu kỳ trước (130).
Samsung khởi động hoàn vốn lớn cho cổ đông, năng lực sản xuất HBM tiếp tục mở rộng
Samsung Electronics dự kiến sẽ công bố thêm chi tiết về việc mua lại cổ phiếu và chia cổ tức bằng tiền mặt trong thời gian tới. Theo phát biểu của CFO trong cuộc gọi báo cáo tài chính ngày 30/7, Samsung sẽ sử dụng 50% dòng tiền tự do giai đoạn 2024-2026 (trừ đi 10 nghìn tỷ Won cổ tức đã chi trả hàng năm) để hoàn vốn cho cổ đông. BofA cho rằng phương án thực hiện có thể bao gồm: chi trả cổ tức đặc biệt hơn 30 nghìn tỷ Won trong quý III hoặc quý IV, khởi động mua lại cổ phiếu hơn 40 nghìn tỷ Won vào nửa đầu năm 2027, và chi trả khoảng 30 nghìn tỷ Won cổ tức cuối năm vào tháng 4/2027. Ngoài ra, Samsung còn cần hơn 30 nghìn tỷ Won cổ phiếu quỹ để thưởng đặc biệt cho nhân viên. BofA dự kiến SK Hynix cũng sẽ sử dụng 50% dòng tiền tự do để hoàn vốn cho cổ đông, và có khả năng mua lại mạnh hơn cổ tức bằng tiền mặt.
Về năng lực sản xuất HBM, BofA dự kiến năng lực sản xuất wafer HBM năm 2026 sẽ đạt 476.000 tấm/tháng (chiếm 22,6% tổng năng lực DRAM), năm 2027 đạt 741.000 tấm/tháng (chiếm 26,6%). Thị phần năng lực wafer HBM của Samsung có khả năng tăng từ 37% năm 2025 lên 39% năm 2027, gần bằng mức 40% của SK Hynix. HBM4 và HBM4e sẽ là sản phẩm chủ lực trong giai đoạn 2026-2027, sản phẩm HBM5 trở lên sẽ bắt đầu thâm nhập dần từ năm 2027.
Siêu chu kỳ bộ nhớ đang chuyển từ động lực giá sang động lực kép cả lượng lẫn giá. Việc ASP ngành giảm nhẹ vào năm 2028 không nên được coi là kết thúc chu kỳ, việc HBM tiếp tục mở rộng sản lượng và nhu cầu cấu trúc từ máy chủ AI đang định hình lại mô hình lợi nhuận của ngành bộ nhớ. Việc mua lại cổ phiếu quy mô lớn và cổ tức đặc biệt của Samsung sẽ hỗ trợ định giá, chỉ số Bộ nhớ của BofA vẫn ở mức cao lịch sử cho thấy sức nóng ngành vẫn chưa giảm. Cơ cấu cung-cầu DRAM và NAND căng thẳng khó có thể đảo ngược trước năm 2027, điểm kết thúc của siêu chu kỳ có thể xa hơn dự kiến của thị trường.
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm
Bài viết này là phần tổng hợp và giải thích của Chaoxiang Research đối với báo cáo nghiên cứu của bên thứ ba (BofA Securities, ngày 7 tháng 8 năm 2026), kết hợp với việc tổng hợp thông tin thị trường công khai. Xếp hạng, mục tiêu giá, dự báo lợi nhuận và các đánh giá liên quan được trích dẫn trong bài đều là quan điểm của nhà phân tích của tổ chức môi giới đó, chỉ đại diện cho lập trường của tổ chức mà họ thuộc về, không đại diện cho quan điểm của Chaoxiang Research, và cũng không cấu thành bất kỳ đề xuất đầu tư nào.
Thị trường có rủi ro, quyết định cần độc lập. Bài viết này không nên được sử dụng làm căn cứ để mua bán bất kỳ chứng khoán nào.
