От песка до чипа: алхимия полупроводников в Хэфэе
27 июля 2026 года компания Changxin Technology, производитель микросхем памяти DRAM из Хэфэя, вышла на IPO на Шанхайской фондовой бирже с капитализацией 3,28 трлн юаней, превзойдя Industrial and Commercial Bank of China. Этот успех стал результатом долгосрочной стратегии города по развитию полупроводниковой индустрии.
В 2016 году Хэфэй и компания GigaDevice запустили «Проект 506» с общими инвестициями в 150 млрд юаней для создания национального производства DRAM. К 2019 году Changxin выпустила первую отечественную микросхему DDR4. Несмотря на убытки в первые годы, к 2025 году компания вышла на прибыльность благодаря росту спроса на DRAM для ИИ и повышению эффективности производства. К Q1 2026 года её рыночная доля достигла 8%, что сделало её четвёртым игроком в мире.
Успех Changxin стал катализатором для создания полноценного кластера в Хэфэе. Вокруг завода сконцентрировались десятки компаний-поставщиков оборудования (Northern Huachuang, AMEC), материалов и услуг, а также клиентов, таких как Xiaomi и Alibaba Cloud. Индустрия интегральных схем города выросла с 18 млрд юаней в 2016 году до 151,4 млрд в 2025.
Это часть масштабной промышленной трансформации Хэфэя, известной как «три скачка»: от экранов (BOE) к чипам (Changxin) и затем к электромобилям (Nio, BYD). Стратегия «долгого цикла» превратила город из периферийного в экономического лидера с ВВП в 1,42 трлн юаней (2025 г.) и привлекательными условиями для жизни и работы.
marsbit10 ч. назад
