Автор: Годо Годот
Хранение данных для ИИ можно разделить на шесть уровней,
1) SRAM на кристалле
2) HBM
3) DRAM на материнской плате
4) Уровень пулинга CXL
5) Корпоративные SSD
6) NAS и облачное объектное хранилище
Эта иерархия разделена в зависимости от расположения хранилища, чем ниже уровень, тем дальше он от вычислительного блока и больше объем хранения.
В 2025 году общий объем этих шести уровней (SRAM находится на чипах для вычислений, встроенную стоимость необходимо исключить) составил примерно 229 миллиардов долларов США, причем DRAM занимает половину, HBM — 15%, SSD — 11%.
Что касается прибыли, каждый уровень чрезвычайно концентрирован, в первых трех обычно более 90% доли рынка.
Эти пулы прибыли можно разделить на три типа,
1) Высокомаржинальные олигопольные пулы на кремниевом уровне (HBM, встроенный SRAM, QLC SSD)
2) Высокомаржинальные новые пулы на уровне соединений (CXL)
3) Пул сложных процентов на уровне услуг (NAS, облачное объектное хранилище)
Три типа пулов различаются по природе, темпам роста и рвам защиты.
Почему хранение данных разделено на уровни?
Потому что на чипах CPU, отвечающих за управление, и GPU, отвечающих за вычисления, есть только временный кэш, то есть SRAM-кэш на кристалле. Это пространство кэша слишком мало, чтобы вместить большие модели, в него можно поместить лишь временные параметры.
За пределами этих двух чипов требуется подключение большего объема памяти для хранения больших моделей и контекста для вывода.
Вычисления очень быстрые, но задержка и энергопотребление при перемещении данных между различными уровнями хранения являются самой большой проблемой.
Поэтому в настоящее время существуют три направления:
1) Увеличение HBM, размещение памяти рядом с GPU, сокращение расстояния перемещения
2) CXL, объединение памяти в пул на уровне стоек, совместное использование емкости
3) Интеграция вычислений и хранения на одной кремниевой пластине, единая архитектура хранения и вычислений
Эти три направления определят форму пула прибыли на каждом уровне в следующие пять лет.
Ниже представлена конкретная иерархия,
L0 SRAM на кристалле: Пул прибыли, принадлежащий исключительно TSMC
SRAM (Static Random-access Memory, статическая оперативная память) — это кэш внутри CPU/GPU, встроенный в каждый чип и не торгуемый отдельно.
Рынок независимых SRAM-кристаллов составляет всего 10–17 миллиардов долларов США, лидерами являются Infineon (около 15%), Renesas (около 13%), ISSI (около 10%), рынок небольшой.
Этот пул прибыли принадлежит TSMC, поскольку каждое новое поколение ИИ-чипов для размещения большего количества SRAM вынуждено покупать больше кремниевых пластин.
И более 70% мировых передовых технологических пластин находится в руках TSMC. Площадь SRAM в каждом чипе H100, B200, TPU v5 и т.д. в конечном итоге превращается в выручку TSMC.
L1 HBM: Самый большой пул прибыли в эпоху ИИ
HBM (High Bandwidth Memory, память с высокой пропускной способностью) — это высокоскоростная память, где DRAM (Dynamic Random-access Memory, динамическая оперативная память) вертикально уложена с помощью технологии сквозных кремниевых переходов (TSV), а затем прикреплена рядом с GPU с помощью упаковки CoWoS.
HBM почти в одиночку определяет размер модели, которую может запускать ИИ-ускоритель. Доля рынка SK Hynix, Micron, Samsung составляет почти 100%.
По состоянию на первый квартал 2026 года, последняя структура доли рынка выглядит следующим образом: SK Hynix 57%–62%, Samsung 22%, Micron 21%. SK Hynix получила значительные объемы закупок от таких компаний, как NVIDIA, и в настоящее время является доминирующим поставщиком.
В отчете о финансовых результатах Micron за первый квартал 2026 финансового года было упомянуто, что TAM (общий доступный рынок) HBM будет расти со среднегодовым темпом роста около 40%, увеличившись с примерно 35 миллиардов долларов США в 2025 году до 100 миллиардов долларов США в 2028 году. Достижение отметки в 100 миллиардов долларов произойдет на два года раньше предыдущих прогнозов.
Ключевое преимущество HBM — чрезвычайно высокая норма прибыли. В первом квартале 2026 года операционная маржа SK Hynix достигла рекордных 72%.
Причины высокой прибыльности:
1) Производственный процесс TSV жертвует частью традиционных мощностей DRAM, поддерживая состояние дефицита предложения HBM;
2) Сложно повысить выход годных при передовой упаковке, снижение доли Samsung с 40% до 22% также было вызвано этим;
3) Основные поставщики расширяют производство относительно осторожно и в первом квартале 2026 года добились роста средней продажной цены (ASP) DRAM более чем на 60% по сравнению с предыдущим кварталом, демонстрируя четкое положение на рынке продавца.
Среди трех гигантов, SK Hynix, подстегиваемый мощным ростом HBM, по итогам 2025 года достиг операционной прибыли в 47,21 триллиона вон, впервые в истории превзойдя Samsung Electronics. В первом квартале 2026 года, с операционной маржой в 72%, он даже превзошел уровень прибыльности TSMC (58,1%) и NVIDIA (65%).
У Micron очень высокие ожидания роста, Bank of America в мае 2026 года значительно повысил целевую цену до 950 долларов США. У Samsung, по мере продвижения массового производства HBM4, есть наибольший потенциал для восстановления доли рынка.
L2 DRAM на материнской плате
Этот уровень — это то, что мы обычно называем модулями оперативной памяти.
DRAM на материнской плате включает обычные продукты памяти, такие как DDR5, LPDDR, GDDR, MR-DIMM и т.д. В настоящее время это часть системы хранения данных ИИ с самой высокой долей рыночных продаж. В 2025 году общий объем мирового рынка DRAM достиг примерно 121,83 миллиарда долларов США.
Samsung, SK Hynix и Micron по-прежнему занимают подавляющую часть рынка. Согласно последним данным за четвертый квартал 2025 года, Samsung занимает первое место с долей рынка 36,6%, SK Hynix — второе с 32,9%, Micron — третье с 22,9%.
В настоящее время перевод мощностей на более прибыльный HBM поддерживает высокую прибыльность и ценовую власть на рынке памяти. Хотя норма прибыли на отдельный продукт обычного DRAM для материнских плат ниже, чем у HBM, его общий объем рынка является наибольшим.
L3 Уровень пулинга CXL
CXL (Compute Express Link) позволяет объединять DRAM с материнской платы отдельного сервера в пул на уровне всей стойки.
После CXL 3.x в будущем вся память в одном шкафу может быть совместно распределена и выделена по требованию несколькими GPU. Решает проблему нехватки места и сложности перемещения KV-кэша, векторных баз данных, индексов RAG при ИИ-выводе.
Рынок модулей памяти CXL в 2024 году составил всего 1,6 миллиарда долларов США, к 2033 году ожидается 23,7 миллиарда долларов США. Кажется, что олигопольная структура с доминированием Samsung, SK Hynix и Micron сохранится.
На этом уровне Astera Labs производит ретаймеры (Retimer) и интеллектуальные контроллеры памяти между CXL и PCIe, занимая около 55% доли этого подрынка. Выручка за последний квартал составила 308 миллионов долларов США, рост на 93% год к году, не-GAAP валовая маржа 76,4%, чистая прибыль выросла на 85% год к году. Можно сказать, что это весьма прибыльно.
L4 Корпоративные SSD: Главные бенефициары эры вывода
Корпоративные NVMe SSD являются основной ареной для checkpoint-ов при обучении ИИ, индексов RAG, offload KV-кэша, кэширования весов моделей. Высокоемкие SSD QLC полностью вытеснили HDD из озер данных ИИ.
Рынок корпоративных SSD в 2025 году составил примерно 26,1 миллиарда долларов США, среднегодовой темп роста (CAGR) 24%, к 2030 году ожидается 76 миллиардов долларов США.
Структура? Да, по-прежнему контролируется тремя гигантами.
Доля рынка по выручке за четвертый квартал 2025 года: Samsung 36,9%, SK Hynix (включая Solidigm) 32,9%, Micron 14,0%, Kioxia 11,7%, SanDisk 4,4%. На первую пятерку приходится около 90%.
Самое большое изменение на этом уровне — взрывной рост QLC SSD в сценариях ИИ-вывода. Дочерняя компания Hynix Solidigm и Kioxia уже создали продукты с емкостью отдельного диска 122 ТБ. KV-кэш и индексы RAG для ИИ-вывода перетекают из HBM на SSD.
С точки зрения пула прибыли, корпоративные SSD не обладают такой предельно высокой валовой маржой, как HBM, но пользуются двойным преимуществом роста, движимого емкостью, и расширения вывода.
Hynix и Kioxia являются относительно чистыми объектами инвестиций. Samsung и SK Hynix одновременно пользуются преимуществами трех уровней: HBM + DRAM + NAND, являясь более комплексными компаниями в области хранения данных для ИИ.
L5 NAS и облачное объектное хранилище: Пул сложных процентов от притяжения данных
NAS и облачное объектное хранилище являются самым внешним уровнем для озер данных ИИ, обучающих корпусов, резервного копирования, архивирования, межкомандного сотрудничества. В 2025 году NAS составило примерно 39,6 миллиарда долларов США (CAGR 17%), облачное объектное хранилище — около 9,1 миллиарда долларов США (CAGR 16%).
Основными производителями корпоративных файловых хранилищ являются NetApp, Dell, HPE, Huawei; для малого и среднего бизнеса — Synology, QNAP. Долю облачного объектного хранилища можно оценить по доле IaaS: AWS примерно 31–32%, Azure примерно 23–24%, Google Cloud примерно 11–12%, на три компании вместе приходится примерно 65–70%.
Прибыль на этом уровне в основном формируется за счет долгосрочного хостинга + исходящего трафика данных + блокировки экосистемы.
В итоге,
1) Объем DRAM самый большой, но валовая маржа самая низкая 30–40%; объем HBM составляет лишь треть от DRAM, но валовая маржа вдвое выше — 60%+; объем ретаймеров CXL самый маленький, но валовая маржа самая высокая — 76%+. Чем ближе уровень к вычислениям, тем он более дефицитен и прибылен.
2) Прирост пула прибыли в основном происходит из трех источников: HBM (среднегодовой темп роста CAGR 28%), корпоративные SSD (CAGR 24%), пулинг CXL (CAGR 37%).
3) Каждый уровень имеет разные барьеры для ведения бизнеса: HBM — технологические барьеры (TSV, CoWoS, повышение выхода годных); продукты класса CXL — барьеры в виде IP и сертификации, цепочка поставок ретаймеров монопольная; сервисные — затраты на переход.
