Interpretación del informe de Goldman Sachs: Previsión de equipos de obleas front-end (WFE) revisada al alza hasta 150.000 millones de dólares, DRAM y foundry lideran el gasto en equipos

marsbitPublicado a 2026-08-24Actualizado a 2026-08-24

Resumen

El 23 de agosto, Goldman Sachs publicó un informe que revisa sustancialmente al alza las previsiones de gasto en equipos de fabricación de obleas (WFE). Se prevé que el mercado alcance los 1500, 2180 y 2810 mil millones de dólares en 2026, 2027 y 2028, respectivamente, lo que representa aumentos significativos respecto a las estimaciones anteriores. La revisión se debe principalmente a la fuerte demanda a corto plazo de DRAM y fundición de procesos avanzados, mientras que se espera que la NAND y la lógica/otros (incluido Terafab) impulsen el crecimiento a medio plazo. * **DRAM:** Es el segmento con mayor revisión al alza, impulsado por las mayores necesidades de equipos para la producción de HBM4. Se espera que las limitaciones de capacidad en el sector duren hasta 2028. * **Fundición:** La previsión se ha incrementado, principalmente por la intensificación del proceso N2 de TSMC (que utiliza arquitectura GAA), lo que aumenta la demanda de equipos como litografía EUV. * **Lógica/Otros:** El crecimiento se ve apoyado por la demanda de Intel, la recuperación de los nodos maduros y, de manera destacada, por la contribución inicial de los compromisos de equipos para Terafab de SpaceX y Tesla. * **NAND:** La previsión se mantiene en gran medida, con un gasto centrado en actualizaciones tecnológicas. Goldman Sachs considera que este escenario, con múltiples sectores expandiéndose simultáneamente, beneficia a los principales proveedores de equipos como Applied Materials, ...

Escrito por: Rita

El 23 de agosto, Goldman Sachs publicó un informe sobre la industria global de equipos de capital de semiconductores, elevando su pronóstico de gasto en equipos de obleas front-end (WFE) para 2026-2028 a 150.000 millones, 218.000 millones y 281.000 millones de dólares, respectivamente, un 6%, un 17% y un 35% superiores a las estimaciones anteriores. Las tasas de crecimiento interanual ajustadas para los tres años son del 36%, 45% y 29%, frente al 28%, 32% y 12% previstos anteriormente.

Goldman Sachs cree que esta revisión al alza se debe principalmente a la fuerte demanda a corto plazo de DRAM y de foundry de procesos avanzados, mientras que NAND y lógica/otros (incluido Terafab) tomarán el relevo a medio plazo. La expansión simultánea de las dos grandes categorías, memoria y lógica, está transformando la base de demanda de la industria de equipos, pasando de una estructura única a un impulso diversificado.

El gasto en equipos de DRAM se acelera, las limitaciones de capacidad se prolongan hasta 2028

DRAM es el segmento con mayor revisión al alza. Goldman Sachs elevó su pronóstico de WFE para 2026-2028 de 46.000, 67.000 y 74.000 millones de dólares a 48.000, 72.000 y 97.000 millones de dólares, y las tasas de crecimiento interanual del 45%, 45% y 10% al 50%, 50% y 35%, respectivamente. Las previsiones de gasto de capital de Samsung y SK Hynix se revisaron al alza un 22% y un 19%, respectivamente.

HBM4 es el impulsor directo de la revisión al alza del gasto de capital en DRAM. En comparación con HBM3, HBM4 adopta una arquitectura de empaquetado más avanzada, lo que exige mayores requisitos de densidad de TSV, espaciado de microbumps y capacidad de gestión térmica. Esto significa que la inversión en equipos de grabado, deposición e inspección necesaria por cada 10,000 obleas/mes aumentará significativamente. Goldman Sachs espera que, incluso manteniendo un alto gasto de capital en DRAM, las limitaciones de capacidad de la industria se mantengan hasta 2028, y la visibilidad de los pedidos de los proveedores de equipos continuará durante un período prolongado.

Expansión simultánea de foundry y lógica, Terafab contribuye con incremento

En el segmento de foundry, Goldman Sachs elevó su pronóstico de WFE para 2026-2028 de 52.000, 68.000 y 78.000 millones de dólares a 58.000, 84.000 y 109.000 millones de dólares, y las tasas de crecimiento interanual del 30%, 30% y 16% al 45%, 45% y 30%, respectivamente. El gasto de capital anual de TSMC se revisó al alza en 8.000 millones de dólares, impulsado principalmente por la mayor intensidad del proceso N2 y la demanda de los clientes.

N2 es el primer nodo de producción en masa de TSMC que adopta la arquitectura de transistor de puerta envolvente (GAA). En comparación con N3, el proceso N2 es más complejo, con un uso significativamente mayor de equipos de litografía EUV, deposición de capas atómicas y grabado selectivo, entre otros. Goldman Sachs espera que N2 continúe aumentando su volumen en los próximos trimestres, impulsando las compras de equipos en toda la cadena. La intensidad de equipos en foundry de procesos avanzados es significativamente mayor que en los procesos maduros, y cada actualización de nodo implica una mayor inversión en equipos por unidad de capacidad.

La revisión al alza en el segmento de lógica/otros también es considerable. La previsión de WFE para 2026-2028 se revisó al alza de 32.000, 35.000 y 37.000 millones de dólares a 34.000, 47.000 y 53.000 millones de dólares, y las tasas de crecimiento interanual del 5%, 9% y 6% al 11%, 40% y 12%, respectivamente. El incremento proviene principalmente de dos aspectos: la demanda de Intel supera las expectativas, y la recuperación de los mercados de procesos maduros y analógicos.

Terafab es una nueva variable importante en este pronóstico. Goldman Sachs ya ha incorporado a su previsión de WFE para la categoría lógica/otros la inversión inicial en equipos de Terafab comprometida por SpaceX y Tesla, de aproximadamente 16.800 millones de dólares. La compra inicial de equipos para Terafab abarca todas las categorías, como litografía, grabado, deposición e inspección, superponiéndose en gran medida con la demanda de equipos para foundry de chips lógicos. Terafab contribuye con la mayor parte del incremento en la categoría lógica/otros. Goldman Sachs cree que el impacto de Terafab aún se encuentra en una etapa temprana, y que esta categoría aún tiene margen de revisión al alza a medida que se implementen las fases posteriores.

En cuanto a NAND, Goldman Sachs mantiene su pronóstico para 2026-2028 en 11.000, 15.000 y 22.000 millones de dólares, reduciendo la previsión de 2027 de 17.000 a 15.000 millones, principalmente debido a ajustes en el ritmo del gasto de capital de algunos fabricantes. Goldman Sachs espera que el gasto en equipos de NAND en el corto plazo se centre en mejoras tecnológicas, y que la situación de oferta ajustada se mantenga hasta 2027.

Los proveedores de equipos se benefician en general de la revisión al alza del WFE

Goldman Sachs es optimista respecto a las acciones de equipos de semiconductores a nivel mundial. Recomienda principalmente Applied Materials, Lam Research, ASML, Tokyo Electron, ASMI, BESI, Lasertec y Ebara.

La expansión de DRAM impulsa la demanda de equipos de grabado y deposición, siendo Applied Materials y Lam Research los principales beneficiarios. HBM4 tiene requisitos extremadamente altos de precisión para el grabado TSV y la deposición de relleno de cobre, y estas dos empresas poseen tecnología líder en los procesos relevantes, con una visibilidad clara de pedidos.

El aumento de volumen del proceso N2 en foundry impulsa la compra de equipos de litografía. La demanda de máquinas de litografía EUV y DUV de ASML sigue aumentando. N2 requiere aproximadamente un 20% más de capas EUV que N3, y cada capa necesita una dosis de exposición mayor, lo que impulsa directamente el consumo de equipos de litografía. El fabricante de equipos de inspección Lasertec se beneficia simultáneamente de la expansión tanto en DRAM como en lógica. En equipos de prueba para empaquetado avanzado, BESI y Ebara se benefician del aumento de complejidad en el empaquetado de HBM.

Lo que Goldman Sachs ha revisado al alza no son solo los números, sino también su juicio sobre el ciclo de la industria. La expansión simultánea de los cuatro grandes segmentos (DRAM, foundry, NAND y lógica), junto con el comienzo de la contribución de Terafab, está transformando la base de crecimiento de la industria de equipos, pasando de una recuperación estructural única a un impulso diversificado. La visibilidad de los pedidos y los márgenes de beneficio de los proveedores de equipos están en una trayectoria ascendente.

Descargo de responsabilidad

Este artículo es una organización e interpretación por parte de ChaoXiang Research de un informe de investigación de un tercer corredor (Goldman Sachs, 23 de agosto de 2026), combinado con información de mercado pública. Las calificaciones, precios objetivo, pronósticos de beneficios y juicios relacionados citados en el texto son puntos de vista del analista de dicho corredor, representan únicamente la posición de su institución, no representan los puntos de vista de ChaoXiang Research y no constituyen ningún consejo de inversión.

El mercado tiene riesgos, las decisiones deben ser independientes. Este artículo no debe utilizarse como base para comprar o vender valores.

Preguntas relacionadas

Q¿Cuáles son las principales razones detrás de la revisión al alza de Goldman Sachs de sus predicciones para el gasto en equipos de oblea frontales (WFE) hasta 2028?

ALa revisión al alza se debe principalmente a la demanda a corto plazo de DRAM y de fundición de nodos avanzados, con NAND y lógica/otros (incluyendo Terafab) contribuyendo a medio plazo. La intensificación del gasto en DRAM está impulsada por HBM4, y la fundición por la intensificación del nodo N2 de TSMC y la demanda de los clientes.

Q¿Cómo afecta específicamente la transición a HBM4 al gasto en equipos de DRAM según el informe de Goldman Sachs?

AHBM4 requiere una arquitectura de empaquetado más avanzada, lo que aumenta las exigencias de densidad de TSV, espaciado de micro-bumps y gestión térmica. Esto incrementa significativamente la inversión en equipos de grabado, deposición e inspección por cada 10,000 obleas de capacidad mensual, lo que eleva la intensidad del gasto en capital (capex).

Q¿Qué papel juega Terafab en las proyecciones revisadas de WFE para la categoría de Lógica/Otros?

ATerafab, el proyecto conjunto de SpaceX y Tesla, representa una nueva variable importante. Goldman Sachs ha incorporado aproximadamente $16.8 mil millones del gasto inicial en equipos de Terafab en sus proyecciones de WFE para Lógica/Otros, ya que su demanda de equipos (fotolitografía, grabado, deposición, inspección) es similar a la de una fundición de chips lógicos.

Q¿Qué empresas proveedoras de equipos semiconductores identifica Goldman Sachs como principales beneficiarias del aumento del gasto en WFE?

AGoldman Sachs destaca como beneficiarias clave a Applied Materials, Lam Research, ASML, Tokyo Electron, ASMI, BESI, Lasertec y Ebara. Se benefician del aumento de la demanda de equipos de grabado y deposición (DRAM, HBM4), fotolitografía (nodo N2), inspección (DRAM y lógica) y de pruebas para empaquetado avanzado.

QSegún Goldman Sachs, ¿cuál es el cambio fundamental en la dinámica de crecimiento del sector de equipos que reflejan estas revisiones?

ALas revisiones reflejan un cambio de una recuperación estructural única a un impulso de crecimiento diversificado. En lugar de depender de un solo subsector, ahora el crecimiento se basa en la expansión simultánea de cuatro pilares: DRAM, fundición, NAND y lógica (con Terafab añadiendo un nuevo impulsor), lo que mejora la visibilidad y sostenibilidad de los pedidos para los proveedores de equipos.

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