Estos días ha habido una gran noticia que ha arrasado en las redes sociales: ADI y Empower Semiconductor han anunciado que han llegado a un acuerdo definitivo por el cual ADI adquirirá Empower por 1.500 millones de dólares en efectivo.
Como dijo Elon Musk, en la era de los datos intensivos, la creciente demanda de energía plantea desafíos sin precedentes para el diseño de fuentes de alimentación. (En cualquier caso, se están quedando sin transformadores para alimentar transformadores).
Desde que Empower completó su ronda de financiación Serie D de más de 140 millones de dólares en septiembre de 2025 hasta su adquisición por ADI, solo han pasado 8 meses. Esto nos recuerda claramente que los semiconductores de potencia se han vuelto tan importantes como las GPU y la HBM.
Entonces, ¿en qué tecnologías se está fijando ADI y qué progresos están haciendo los fabricantes de fuentes de alimentación en los centros de datos de IA? Hoy, EEWorld hará un repaso sobre estos temas.
Empower, ¿qué es?
Puede que no conozcan Empower, es una empresa de chips de alimentación en la que ha invertido Google. Fundada en 2014 por tres veteranos del diseño analógico, vieron el regulador de voltaje integrado (IVR) como la "fruta al alcance de la mano" para los centros de datos. Este chip alivia el equilibrio entre densidad de potencia y eficiencia energética durante años, eliminando o integrando componentes discretos.
Las soluciones de esta empresa son muy valoradas por Marvell. En junio del año pasado, Empower Semiconductor anunció una profunda colaboración con Marvell para desarrollar conjuntamente reguladores de voltaje integrados (IVR) y la arquitectura de suministro de energía vertical (VPD). El objetivo central es actualizar el diseño tradicional de regulación de voltaje a nivel de placa a soluciones de suministro de energía integradas en silicio o cercanas al chip, para abordar los diversos desafíos de suministro de energía en la era de los chips de kilovatios.
Esta empresa tiene cuatro tecnologías muy destacables:
Primera, el regulador de voltaje IVR
En la era de los datos intensivos, el IVR se considera el futuro de los centros de datos. Su valor central radica en: primero, resolver los dos grandes problemas de la era de la IA: grandes pérdidas de trayectoria y respuesta transitoria obstaculizada; segundo, lograr una alta integración de la fuente de alimentación gracias a sus características de alta frecuencia, integrando todos los módulos funcionales de la fuente en un solo encapsulado de chip, listo para usar. El diseño de la fuente es más simple y su tamaño es extremadamente pequeño.
La tecnología IVR patentada de Empower es una tecnología clave para lograr Chiplet (chiplets) y fuentes de alimentación del sistema. En los PMIC tradicionales, los múltiples componentes discretos presentan problemas de lentitud, alto costo y gran volumen. Los centros de datos actuales se están acercando al límite de consumo de energía. El IVR nace para reemplazar los PMIC discretos y voluminosos, reduciendo significativamente las pérdidas de potencia y mejorando la respuesta transitoria.
El IVR elimina todos los componentes independientes, logra conmutación de alta frecuencia a nivel de cientos de MHz mediante tecnología FinFET, integra docenas de componentes discretos en un solo IC, reduciendo el área del PCB y logrando una respuesta transitoria a nivel de nanosegundos. Permite que el chip sea configurado y programado, con un volumen extremadamente pequeño, y puede colocarse en cualquier parte del sistema. El IVR logra esto eliminando componentes magnéticos y condensadores multicapa de cerámica (MLCC). Por lo tanto, el volumen total del encapsulado será de 3 a 5 veces más pequeño que los inductores utilizados en sistemas de entrega de energía típicos.
Segunda, el condensador de silicio ECAP
El condensador de silicio ECAP desarrollado por Empower se utiliza junto con IVR o VPD. El principio del condensador de silicio es el mismo que el del MLCC, pero el ESL del condensador de silicio es solo una centésima parte o incluso menor que el del MLCC, lo que lo hace especialmente adecuado para el filtrado de alta frecuencia. Puede optimizar la impedancia de alta frecuencia del PDN, haciendo que la alimentación del chip sea más estable y limpia. El material dieléctrico del condensador de silicio es diferente al del MLCC, y su capacitancia es más estable, sin verse afectada por el voltaje o la temperatura.
ECAP se fabrica mediante tecnología de fotolitografía de semiconductores, proporcionando una garantía de filtrado puro en la banda de cientos de MHz con inductancia equivalente a nivel de pH y características de atenuación de polarización cero. Ofrecen un rendimiento de banda ancha de hasta 10 GHz gracias a su extremadamente baja inductancia en serie equivalente (ESL) y resistencia en serie equivalente (ESR). La alta densidad de capacitancia y el perfil ultradelgado permiten la integración en el lado del chip, en el lado de la placa o en sustratos incrustados en configuraciones de dominio único o múltiple. Estos condensadores ofrecen una estabilidad y fiabilidad excepcionales, sin degradación por corriente continua, alterna, envejecimiento o temperatura, soportando un rendimiento estable en todas las condiciones de funcionamiento. Están disponibles tanto en carteras estándar como en diseños completamente personalizados.
Tercera, suministro de energía vertical VPD
La tecnología de suministro de energía lateral (LPD) es madura y probada, pero está limitada por las leyes físicas fundamentales. A medida que la corriente de trabajo del procesador sigue aumentando, las pérdidas de potencia causadas por los efectos de resistencia e inductancia dentro de la red de distribución de energía (PDN) comienzan a intensificarse. La arquitectura de suministro de energía vertical (VPD) suministra energía verticalmente a través de las capas del PCB, directamente al procesador superior, acortando efectivamente la distancia de transmisión de energía desde el VRM hasta el SoC. Esto resulta en menores pérdidas por resistencia, mejor respuesta transitoria, mejor integridad de la señal, liberación de espacio en la parte frontal de la placa madre y mayor escalabilidad.
La tecnología de suministro vertical Crescendo de Empower logra una respuesta transitoria rápida, un control de voltaje preciso y una integridad de energía excepcional al colocar reguladores de alta densidad directamente debajo de la carga. Su arquitectura escalable, digitalmente configurable, reduce las pérdidas, maximiza la densidad de potencia y elimina la necesidad de componentes externos voluminosos o grupos de condensadores de desacoplamiento. Crescendo está diseñado para plataformas exigentes de xPU y aceleradores, logrando un mayor rendimiento por vatio mientras simplifica el diseño del sistema, apoyando la rápida evolución de la próxima generación de computación.
Cuarta, tecnología FINFAST
FinFast es la innovadora plataforma tecnológica de energía de Empower, basada en cinco pilares fundamentales: arquitectura de energía innovadora, diseño de potencia basado en FinFET, encapsulado de potencia avanzado, componentes magnéticos avanzados y condensadores de silicio. Estas tecnologías logran conjuntamente una densidad de potencia ultra alta, una eficiencia excepcional y un rendimiento dinámico líder en la industria. FinFast está diseñada para sistemas de IA, centros de datos, redes y chipsets, permitiendo a los productos redefinir las posibilidades de la transmisión de energía moderna.
La adquisición de ADI, ¿qué significa?
Según el análisis de "Comedor de Semiconductores de Tercera Generación", ADI tiene una disposición completa en energía de gabinete y a nivel de placa de 48V/800V, pero el último milímetro desde el exterior del chip hasta justo debajo del dado sigue estando vacío. El IVR+ECAP de Empower complementa precisamente esto, mientras que la plataforma de suministro vertical Crescendo puede lograr corrientes de más de 3000A y una respuesta transitoria 20 veces más rápida. Con el rápido desarrollo de modelos grandes, agentes e inteligencia encarnada, el consumo de energía de las tarjetas aceleradoras de IA y las máquinas completas ha aumentado rápidamente, y la presión de suministro de energía por máquina/placa ha entrado en la escala de kilovatios. El tiempo es ajustado y la tarea es pesada, ya no hay tiempo para desarrollar desde cero. 1.500 millones de dólares por un billete de entrada "dentro del encapsulado" es una ganga para un gigante analógico con un valor de mercado cercano a los 200.000 millones.
Repasando, en los últimos 18 meses, ADI ha estado avanzando paso a paso en el campo de los centros de datos de IA: en abril de 2024, estableció μModule como la línea principal de productos para centros de datos, resolviendo la integración a nivel de placa; en agosto de 2025, se unió al ecosistema NVIDIA 800V, y el negocio de fuentes de alimentación para centros de datos creció un 50%; en APEC 2025, presentó el interruptor inteligente de SiC, posicionándose en el lado primario (PFC/LLC) de 800V; en febrero de 2026, definió la estrategia "Inteligencia Física"; el 4 de marzo de 2026, investigó una nueva estructura de inductor acoplado Notch CL (NCL), anunciando suministro vertical (VPD); el 27 de marzo de 2026, publicó un libro blanco sobre 800V, determinando que HVDC de 800V es la solución final; el 19 de mayo de 2026, adquirió Empower por 1.500 millones de dólares, completando el último milímetro dentro del encapsulado.
Actualmente, en el mundo son muy pocos los que pueden ofrecer una plataforma IVR lista para producción, y el suministro vertical (VPD) junto con la integración dentro del encapsulado es el futuro reconocido por la industria. Se puede decir que la adquisición de Empower era casi inevitable.
Tendencias de desarrollo de las fuentes de alimentación para centros de datos de IA
Mayor integración y suministro vertical son las direcciones de desarrollo de las fuentes de IA. Infineon compartió una vez que las fuentes de IA futuras se dividirán en tres etapas:
La primera etapa es suministro discreto/lateral (Discrete/Lateral), donde la etapa de potencia, inductores y condensadores se colocan directamente junto al procesador (GPU). Es el costo más bajo, con un ecosistema y sistema de calidad maduros. Sin embargo, cuando la corriente de la GPU supera los 850~1000A, las pérdidas superarán los 100W, y la resistencia total del PDN es de aproximadamente 90~140 μΩ.
La segunda etapa es suministro vertical por el reverso (BVM), que utiliza un diseño vertical. Como su nombre indica, el módulo de suministro utiliza un diseño de penetración vertical, conectándose verticalmente al procesador desde la parte trasera del sustrato/placa madre, acortando la ruta de transmisión. Al eliminar el espacio entre múltiples módulos pequeños, eliminar el cableado de energía/señales de control debajo del procesador, aumenta la densidad de potencia, simplifica el diseño de la placa madre y reduce significativamente la resistencia total del PDN a 10~15 μΩ (un 89% menos que la lateral).
La tercera etapa es suministro por regulador de voltaje integrado en el sustrato (SIVR), que integra el regulador de voltaje directamente en el sustrato, simplificando aún más la ruta de transmisión vertical, siendo la solución óptima para el control de pérdidas. Puede reducir un 10~15% adicional de pérdidas del PDN del sustrato, logrando una resistencia total del PDN de 7~10 μΩ (un 93% menos que la lateral).
Visto así, IVR es una optimización adicional de las fuentes VPD, y la tecnología VPD es el billete de entrada a la tercera etapa.
IVR, progresos de otros fabricantes
Actualmente, hay tres esquemas para IVR: primero, instalar IVR en la parte trasera del PCB de la placa madre, similar al suministro de energía vertical "estándar", relativamente simple en proceso, pero con el PDN más grande; segundo, instalar cerca del dado xPU, para sistemas de menor consumo, empaquetar el chip dentro del encapsulado al lado de la xPU, la instalación es más fácil que en el lado de las almohadillas; tercero, incrustar IVR en el sustrato, reduciendo el grosor del IVR hasta poder incrustarlo directamente en el sustrato justo debajo del dado xPU, PDN pequeño con gran capacidad de corriente.
En el campo del IVR, Empower no está solo, Ferric e Intel han presentado esquemas IVR, e Infineon también está siguiendo de cerca esta tecnología.
El fabricante estadounidense Ferric también es colaborador de Marvell. Su IVR se puede usar en configuración "incrustada en sustrato", entrada 1.2-2V, salida 0.25-1.5V, frecuencia 60-100MHz, grosor 0.55-1mm, densidad de corriente hasta 4.5A/mm*mm.
En una entrevista anterior, Ferric declaró: "Con fondos de Intel y el gobierno de EE.UU., estamos desarrollando algunas tecnologías clave subyacentes para lograr IVR. Estábamos desarrollando materiales ferromagnéticos de película delgada que se pueden integrar con semiconductores para miniaturizar todo el sistema convertidor de energía, logrando así IVR de alta densidad para resolver este cuello de botella, que es donde estamos ahora".
Intel presentó la tecnología FIVR hace algunos años. El FIVR de Intel integra el IVR directamente dentro de la CPU, simplificando enormemente el diseño del sistema y haciendo que el esquema de alimentación sea extremadamente simple. Intel utilizó tecnología IVR en la cuarta generación de CPU, integrando IVR directamente en la CPU, utilizando inductores de aire (ACI), aunque en diseños posteriores también utilizó inductores magnéticos (CoaxMIL). Eficiencia máxima del 90% con entrada de 1.8V y salida de 1V, ancho de banda de bucle hasta 60MHz. Sin embargo, Intel posteriormente pausó esta tecnología, por razones desconocidas, posiblemente el calor sea una de ellas.
Infineon ya había prestado atención a la tecnología del regulador de voltaje en sustrato (SVR/SIVR) hace mucho tiempo, está investigando múltiples conceptos para lograr la estandarización, e Infineon también ha propuesto el concepto de control híbrido.
Condensadores de silicio, el "arroz industrial" de la HPC
El SiCap (condensador de silicio) tiene una misión desde su nacimiento: reemplazar los MLCC en HPC, por lo que también se le llama el "arroz industrial" de la HPC. El condensador de silicio es una tecnología de condensador de alta densidad basada en procesos semiconductores, que utiliza materiales de base de silicio y microestructuras como zanjas 3D y apilamiento para lograr alta densidad de capacitancia, baja ESR y baja ESL, adecuada para escenarios de HPC, chips de IA y radiofrecuencia. En comparación con MLCC, SiCap utiliza procesos de apilamiento MOS o DRAM, integrando el condensador en obleas de silicio, más delgado (generalmente <100μm) y con mayor densidad (hasta 1.3~2.5 μF/mm2).
Gracias a la explosión de demanda de IA, centros de datos y 5G, el mercado de SiCap sigue expandiéndose. En la primera mitad de 2025, los ingresos de S-SiCap crecieron un 210%, en parte por pedidos de chips de IA CoWoS-S. El mercado global de condensadores de silicio se valoró en aproximadamente 2-2.25 mil millones de dólares en 2025, se espera que alcance los 2.5-3 mil millones para 2030, con una CAGR de aproximadamente 4.8-5%. Las versiones de alta densidad (como 3D SiCap) crecen más rápido: aproximadamente 202 millones de dólares en 2024, se espera que alcancen los 407 millones para 2031; el mercado general de alta densidad fue de 1.1 mil millones en 2024, se espera que alcance los 2.5 mil millones para 2033.
Murata es uno de los principales participantes en condensadores de silicio. Los condensadores de silicio de alta densidad de Murata se desarrollan utilizando procesos semiconductores MOS y emplean estructuras 3D para aumentar significativamente la superficie del electrodo, aumentando así la capacitancia en un área dada. La tecnología de silicio de Murata se basa en una estructura monolítica incrustada en un sustrato amorfo (MIM de una capa y MIM multicapa —MIM significa metal/aislante/metal).
Los condensadores de silicio de Murata comparten el mismo ADN que los procesos semiconductores MOS, tienen modelos predeterminados de módulo completo establecidos con datos de consistencia probados, por lo que ofrecen un rendimiento predecible y extremadamente confiable. En comparación con otras tecnologías de condensadores, la tecnología de condensadores de silicio de Murata mejora la fiabilidad 10 veces, principalmente gracias a los óxidos generados durante el proceso de curado a alta temperatura. Además, todas las pruebas eléctricas se realizan al final de los pasos de producción, evitando fallos tempranos.
Murata utiliza una estructura especial llamada "Pilar Trípode" o "Tetrápodo" para aumentar el área superficial y mejorar la capacitancia del condensador de silicio. Además, utilizando una nueva estructura Nanoporous (nanoporosa), la capacidad puede incrementarse hasta cinco veces. Dado que los condensadores de silicio también pueden volverse más pequeños y delgados, formando una solución a nivel de sistema con la tecnología IVR, su modelo EC2006P puede proporcionar una capacitancia de 36.8μF en un encapsulado de 4mm x 4mm.
Samsung Electro-Mechanics también es un actor principal en condensadores de silicio. El 20 de mayo, Samsung Electro-Mechanics anunció que había firmado un contrato de suministro de condensadores de silicio por un valor total de aproximadamente 1.5 billones de wones (coreanos) durante 2 años con una gran empresa global. Samsung Electro-Mechanics planea expandir el alcance del suministro desde servidores de IA hasta escenarios diversos como conducción autónoma, terminales móviles y computación de alto rendimiento (HPC).
Rohm también fabrica condensadores de silicio. Su producto de primera generación BTD1RVFL, como producto producido en masa para montaje superficial, logra un tamaño ultra pequeño en la industria de 0402 (0.4mm×0.2mm). En comparación con productos comunes de tamaño 0603 (0.6mm×0.3mm), el área de instalación se puede reducir aproximadamente un 55%. En la fabricación de la apariencia, se utiliza la propia tecnología de miniaturización de ROHM "RASMIDTM", que permite un procesamiento a nivel de 1μm. Incorpora un diodo TVS, con excelente resistencia a ESD. Al mejorar la precisión dimensional del encapsulado, también lograron diseñar el borde del electrodo trasero (es decir, la superficie de contacto con la placa de circuito) más cerca de la periferia del dispositivo.
China también está prestando atención a los condensadores de silicio. El S-SiCap Gen4 de Aipu Technology ya logra una densidad de capacitancia de 3.8 μF/mm2, introducido primero en encapsulados de sustrato incrustados, se espera que entre en producción gradualmente a partir de 2026; empresas emergentes como Langsi Technology y Senwan Electronics también están surgiendo rápidamente, sus productos de condensadores de silicio 3D alcanzan una densidad de capacitancia de 1.5 μF/mm2, rompiendo con éxito el monopolio extranjero, y se aplican ampliamente en mercados como chips de computación de IA y módulos ópticos de alta velocidad.
VPD, avance continuo
En el CES de este año, NVIDIA confirmó que Rubin usaría el esquema VPD. Según NVIDIA, la arquitectura Rubin incluirá memoria HBM4 más ancha y numerosa. Dado que HBM ya ocupa todo el espacio alrededor del encapsulado de la GPU, no hay espacio físico para el suministro lateral (LPD), por lo que VPD es la solución determinista. Curiosamente, Intel y Google también han comenzado a probar esquemas VPD. Incluso Huawei está prestando atención a esta tecnología. Huawei tiene una solicitud de patente de invención sobre un "sistema de suministro de energía vertical para chips", cuyo objetivo es proporcionar un diseño de módulo regulador de voltaje (VRM) para suministrar energía a chips.
Está claro que VPD será una de las tecnologías más críticas para los procesadores modernos. Además de Empower, fabricantes como Infineon, MPS, Vicor y TDK también han logrado grandes avances en fuentes de alimentación para centros de datos de IA.
En marzo del año pasado, Infineon lanzó el módulo de potencia de cuatro fases OptiMOS TDM2454xx, logrando un verdadero suministro vertical (VPD) y ofreciendo una densidad de corriente líder en la industria de 2 amperios por milímetro cuadrado. Este módulo continúa la línea de los módulos de potencia de dos fases OptiMOS TDM2254xD y TDM2354xD lanzados por Infineon en 2024, continuando proporcionando una densidad de potencia excepcional para plataformas de computación acelerada.
Infineon explicó que en los sistemas tradicionales de suministro horizontal, la corriente debe fluir por la superficie de la oblea del semiconductor, lo que aumenta la resistencia y genera pérdidas de potencia notables. El suministro vertical mejora la eficiencia del sistema al acortar la ruta de transmisión de corriente y reducir las pérdidas por resistencia.
Utilizando los componentes de potencia de la robusta tecnología de zanjas OptiMOS 6 de Infineon y el encapsulado de chip incrustado, el módulo OptiMOS TDM2454xx puede ofrecer un rendimiento eléctrico y térmico excelente, mientras emplea técnicas de diseño de inductores ultradelgados innovadoras para seguir elevando los límites de rendimiento y calidad del sistema VPD. Además, el diseño estructural del OptiMOS TDM2454xx favorece el ensamblaje modular y puede mejorar la conducción de corriente, mejorando así el rendimiento eléctrico, térmico y mecánico. El módulo soporta hasta 280A de corriente en una fuente de cuatro fases, e integra una capa de condensadores incrustados en un encapsulado pequeño de solo 10x9 mm2. Combinado con el controlador XDP de Infineon, puede lograr una solución de potencia de alta densidad de corriente estable y duradera.
MPS (Monolithic Power Systems) también está muy activo en el despliegue de VPD. Se informa que MPS tiene una parte considerable de aplicaciones en el esquema de suministro de la GPU H100. Sin embargo, el nombre del esquema VPD de MPS es algo diferente, se llama "Suministro por eje Z" (ZPD). El suministro por eje Z coloca el estabilizador en la parte inferior del PCB, debajo del procesador. Este método puede reducir significativamente las pérdidas del PDN (más de 10 veces).
El año pasado, MPS lanzó una nueva generación de soluciones de alimentación para servidores de IA de ultra alta densidad de potencia. Su producto central MPC24380 utiliza la arquitectura de suministro por eje Z, integra condensadores de salida, se combina con un diseño DrMOS superior para optimizar la disipación de calor, y presenta ventajas destacables como cuatro salidas de alta corriente de 260A y una densidad de potencia ultra alta de 2A/mm2. También lanzó MPC22158 de diferentes especificaciones, que logra dos salidas de corriente de 130A en un volumen extremadamente pequeño, ayudando a alimentar chips de IA con múltiples ventajas como alta eficiencia y alta integración, resolviendo los dilemas de energía y disipación de calor.
Vicor se posicionó temprano en VPD y también es socio confirmado de NVIDIA. Después de que NVIDIA anunciara en CES que Rubin usaría la arquitectura VPD, Vicor se convirtió en el mayor beneficiario, y su mercado de valores estuvo bastante activo. Se informó que en aplicaciones de sistemas de IA de 48V, Vicor llegó a ocupar hasta el 85% del mercado, con socios como NVIDIA, Google, Intel, AMD, Cerebras y Tesla.
La solución VPD de Vicor es un módulo integrado compuesto por tres capas: la capa inferior es una "caja de cambios" (Gearbox), la capa intermedia es una matriz de multiplicadores de corriente VTM, y la capa superior es un regulador PRM. Estas tres capas forman una solución VPD completa, que Vicor denomina DCM.
La Gearbox realiza dos funciones: primero, contiene condensadores de desacoplamiento de alta frecuencia; segundo, redistribuye la corriente proveniente del VTM formando un patrón que refleja el del procesador superior. El tamaño de la matriz VTM depende de los requisitos de corriente de entrada del procesador, y el tamaño del PRM depende de la demanda total de potencia. Si la GPU o ASIC necesita múltiples rieles de alimentación, las capas VTM y PRM pueden implementarse utilizando PRM y VTM independientes respectivamente, cuyo tamaño puede satisfacer los requisitos de corriente y voltaje de cada riel específico.
La solución VPD de Vicor coloca los multiplicadores de corriente MCM/GCM directamente debajo del procesador, reduciendo aún más la resistencia del PDN a 5~7 μΩ, maximizando el poder de cómputo y la eficiencia energética del procesador de IA. Según Vicor, su método de transmisión de energía vertical puede reducir las pérdidas del PDN en un 95%.
TDK también está posicionándose en VPD. Su convertidor DC μPOL utiliza la tecnología de incrustación de chips SESUB para lograr un tamaño óptimo compacto, muy adecuado para alimentación vertical de 1A a 200A en estas aplicaciones.
El FS1525 de TDK integra un inductor de potencia para suavizar el rizado de corriente generado cuando el μPOL empuja potencia a la carga. Esta integración, al reducir los efectos parásitos, permite una forma más pequeña y mayor eficiencia. Al comprimir todos los componentes en un pequeño módulo de potencia, el DC-DC puede proporcionar una densidad de potencia de 127 amperios por centímetro cúbico.
El módulo implementa un método de modulación más avanzado llamado Modulación de Tiempo Adaptativa (AOT), logrando una respuesta transitoria ultrarrápida y compensación de bucle interna. Basado en un PLL (Phase-Locked Loop), este esquema de modulación logra una eficiencia del 91% y 89% a 15 y 25 amperios respectivamente. Además, I2C y PMBus ofrecen a los ingenieros opciones adicionales de telemetría.
Para finalizar
La arquitectura de los procesadores y centros de datos está cambiando para satisfacer las mayores demandas de voltaje de los servidores que ejecutan IA y modelos de lenguaje grandes (LLM). Hubo un tiempo en que los servidores consumían solo unos cientos de vatios. Pero en las últimas décadas, la situación ha cambiado drásticamente debido al gran aumento en el volumen de datos que necesitan procesarse y la demanda de los usuarios de procesamiento más rápido. El chip Grace Blackwell de NVIDIA consume de 5 a 6 kilovatios, aproximadamente 10 veces el consumo total de un servidor del pasado.
Cuando los servidores de IA cambian, cuando el consumo de energía por placa entra en la escala de kilovatios, quien pueda introducir la fuente de alimentación de manera más eficiente en el espacio limitado de la placa, liberando más espacio para los chips de computación más cruciales, será el ganador. Tecnologías como IVR, condensadores de silicio y VDP son sin duda clave para lograr este avance. La adquisición de ADI confirma que la fuente de alimentación para IA actual necesita urgentemente una actualización y cambio. Se cree que estas tecnologías se desarrollarán rápidamente en los próximos años.
Referencias
[1]ADI:https://www.analog.com/cn/newsroom/press-releases/2026/5-19-2026-adi-to-acquire-empower-semiconductor.html
[2]EETimes:https://www.eetimes.com/adi-to-acquire-empower-to-join-data-centers-power-gold-rush/
[3]Cargador:https://mp.weixin.qq.com/s/YLOI9xCpx9xw-XruV7o1aA
[4]Comedor de Semiconductores de Tercera Generación:https://mp.weixin.qq.com/s/EcSOlnRwpJvaf1N2pWaFPg
[5]Empower:https://www.empowersemi.com/wp-content/uploads/2026/05/Empower_APM-Brochure_May2026_spreads_digital-opt.pdf
[6]Liu Power:https://mp.weixin.qq.com/s/SqsotkkqBYceV3Ag_n6C7Q
[7]Rohm:https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/white_paper/passive/common/silicon_capacitors_btd1rvfl_wp-c.pdf
Este artículo proviene del WeChat oficial "Mundo de la Ingeniería Electrónica" (ID:EEworldbbs), autor: Fu Bin
