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ETH“空头”损失1.13亿美元,因以太坊价格突破1,980美元并瞄准2,000美元大关

以太坊(ETH)周一逼近2000美元大关,日内涨幅达4.5%,主要受ETF资金流入增加和质押活动活跃的推动。据Bitstamp数据,ETH最高触及1980美元,较24小时前上涨超100美元,成为当日表现领先的加密货币之一。此次上涨基本收复了自7月22日跌破1900美元以来的跌幅,市值回升至2370亿美元,七日涨幅近6%。 价格上涨导致空头遭遇大规模清算,24小时内清算的空头头寸达1.13亿美元,远多于多头的1000万美元清算额。仅ETH的空头清算就占同期全网空头清算总额的三分之一。 分析师指出,近期现货ETF持续的资金流入是推高价格的关键因素之一。数据显示,7月20日至24日期间,ETF吸引了近1.04亿美元资金,显示出机构对该资产的强劲支持。此外,Circle公司获得美国货币监理署(OCC)最终批准成立国家信托银行,为以太坊生态系统带来结构性利好,因为其稳定币USDC主要在以太坊上结算,联邦监管有望降低机构参与门槛并增强DeFi生态的长期流动性。 另一个积极信号是,以太坊验证者提款队列已清空,这意味着质押资金的进出不再有延迟,增强了市场对流动性和网络健康状况的信心。 尽管市场情绪转暖,部分技术分析师提醒需保持谨慎,认为当前上涨可能只是下行趋势中的暂时反弹。有分析指出,ETH正在形成一系列看跌旗形形态,预示反弹可能最终失败,并预测价格或再次下探1300至1450美元区间筑底,之后才有望开启真正的趋势反转,中长期目标看向2450美元及3950美元。

cryptonews.ru07/27 16:39

ETH“空头”损失1.13亿美元,因以太坊价格突破1,980美元并瞄准2,000美元大关

cryptonews.ru07/27 16:39

存储的繁荣,能够持续多久?

半导体存储器市场正经历历史性的爆炸式增长。根据WSTS数据,存储器出货量在短短十年内增长超11倍,2026年5月单月达633亿美元,同比增速高达285%,远超以往任何“泡沫”时期。增长的核心驱动力并非出货量,而是DRAM和NAND闪存价格的异常飙升,自2025年初以来两者现货价格均上涨约10倍。 价格暴涨的根本原因在于人工智能数据中心带来的需求激增。以亚马逊、谷歌、微软和Meta为代表的超大规模数据中心运营商,为构建AI基础设施进行了巨额资本投资,预计2026年将达7550亿美元。这些数据中心像“黑洞”一样吸走了大量用于AI的高性能存储(如HBM),导致供应产能向AI领域倾斜,进而造成用于个人电脑、智能手机等消费电子产品的传统DRAM和NAND闪存严重短缺,价格被大幅推高。 这种扭曲的增长结构使得全球半导体市场规模预测被彻底颠覆。此前预测到2032年达1.2万亿美元的目标,可能在2026年就被超越。市场增长高度集中于存储器和逻辑电路(含GPU),而模拟和微控制器市场则增长平缓。 然而,作者根据存储器市场近35年的历史周期规律发出警告:该市场从未出现过连续六年以上的正增长,繁荣期通常不超过五年。此次以2024年为顶点的AI热潮,按历史规律预计最迟将在2028年、甚至2027年结束。更关键的是,“高峰越高,低谷越深”是半导体行业的铁律。当前285%的增速是前所未有的峰值,随之而来的衰退很可能比以往任何一次都更加严重和漫长。 尽管当前存储制造商因利润暴增而股价飙升,甚至创造了许多“亿万富翁”,但作者强烈呼吁行业应保持冷静,利用当前的繁荣期为必将到来的严峻衰退做好切实准备。

链捕手07/14 14:49

存储的繁荣,能够持续多久?

链捕手07/14 14:49

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