SK 海力士向主要客户交付 HBM4E 样品,这款 12 层堆叠旗舰内存每引脚速度达 16Gbps,功耗效率提升逾 20%,散热阻力降低 17%,单颗容量达 48GB。消息一出,公司股价盘中暴涨 7.3% 至历史新高,市场对其持续领跑 AI 内存赛道的预期全面升温。
SK 海力士宣布向主要客户交付下一代 AI 内存芯片 HBM4E 样品,推动公司股价创下历史新高。
SK 海力士周四在官网表示,这款 12 层堆叠 HBM4E 产品每引脚最高数据处理速度达 16Gbps,功耗效率较上一代提升逾 20%,并通过先进封装技术将散热阻力降低 17%。SK 海力士表示,将与合作伙伴紧密协作,推动产品及时实现量产。
此次样品出货标志着 SK 海力士在高带宽内存领域的技术迭代再度提速,进一步巩固其在 AI 基础设施供应链中的核心地位,也为市场提供了该公司持续引领 HBM 技术路线的最新信号。
消息公布后,SK 海力士股价在韩国交易平台盘中上涨 7.3%,创下历史盘中新高。这一涨幅反映出市场对该公司在 AI 内存赛道持续领跑的强烈预期。自 HBM3、HBM3E 到 HBM4,SK 海力士已建立起从量产到供应的完整交付能力,此次 HBM4E 样品的按期出货,进一步强化了投资者对其技术兑现能力的信心。
性能与效率双重跃升
SK 海力士在声明中披露,12 层 HBM4E 在性能与功耗效率两个维度均实现显著提升。
具体而言,该产品每引脚最高数据处理速度达 16Gbps,功耗效率较前代产品提升逾 20%。与此同时,HBM4E 通过最新接口设计与优化,有效降低数据传输延迟,并在高带宽环境下保持稳定运行。上述特性直接提升了 AI 训练与推理场景下的数据处理能力,有助于客户在 AI 数据中心及大规模计算系统中提高运营效率。
先进封装技术支撑 48GB 容量
在封装工艺层面,SK 海力士采用 Advanced MR-MUF(大规模回流成型底部填充)技术,在 12 层堆叠结构下实现 48GB 的单颗容量,同时确保结构稳定性。
MR-MUF 工艺通过在芯片间注入液态保护材料来保护电路,SK 海力士在此基础上进一步优化,使 HBM4E 的散热阻力较上一代 HBM4 降低 17%,从而保障内存芯片在高性能计算环境中的稳定运行。这一技术突破对于持续高负荷运转的 AI 数据中心尤为关键。
SK 海力士总裁兼首席开发官 Ahn Hyun 在声明中表示:「SK 海力士凭借市场领先的技术能力与制造专长,以 HBM4E 为基础,奠定了强化 AI 领导地位的根基。通过与合作伙伴的紧密协作,我们将向市场交付所需价值,同时作为全栈 AI 内存创造者进一步巩固技术领先地位。」
SK 海力士强调,公司此前在 HBM3、HBM3E 及 HBM4 的量产与供应方面积累的丰富经验,是此次 HBM4E 样品得以按期交付的重要基础。公司表示,将依托经市场验证的产品可靠性与供应能力,支持下一代基础设施的开发,并协助解决 AI 系统的性能瓶颈。
