SK Hynix đã giao mẫu HBM4E cho các khách hàng chủ lực. Bộ nhớ cao cấp 12 lớp này có tốc độ truyền dữ liệu 16Gbps trên mỗi chân, hiệu suất năng lượng được cải thiện hơn 20%, điện trở nhiệt giảm 17%, với dung lượng 48GB trên mỗi chip. Tin tức vừa đưa ra đã đẩy giá cổ phiếu công ty tăng vọt 7.3% trong phiên lên mức cao kỷ lục, kỳ vọng của thị trường về việc công ty tiếp tục dẫn đầu cuộc đua bộ nhớ AI đang tăng cao.
SK Hynix công bố việc giao mẫu chip bộ nhớ AI thế hệ tiếp theo, HBM4E, cho các khách hàng chủ lực, đẩy giá cổ phiếu công ty lên mức cao kỷ lục mới.
SK Hynix cho biết trong một thông báo trên trang web chính thức vào thứ Năm rằng, sản phẩm HBM4E 12 lớp này có tốc độ xử lý dữ liệu tối đa đạt 16Gbps trên mỗi chân, hiệu suất năng lượng được cải thiện hơn 20% so với thế hệ trước, và đã giảm điện trở nhiệt 17% thông qua công nghệ đóng gói tiên tiến. SK Hynix cho biết sẽ hợp tác chặt chẽ với các đối tác để thúc đẩy việc sản xuất hàng loạt sản phẩm đúng hạn.
Việc giao hàng mẫu lần này đánh dấu tốc độ lặp lại công nghệ của SK Hynix trong lĩnh vực bộ nhớ băng thông cao (HBM) được tăng tốc thêm, củng cố vị trí trọng yếu của công ty trong chuỗi cung ứng cơ sở hạ tầng AI, đồng thời cung cấp cho thị trường tín hiệu mới nhất về việc công ty tiếp tục dẫn dắt lộ trình công nghệ HBM.
Sau thông báo, giá cổ phiếu SK Hynix trên sàn giao dịch Hàn Quốc đã tăng 7.3% trong phiên, lập mức cao kỷ lục mới trong phiên. Mức tăng này phản ánh kỳ vọng mạnh mẽ của thị trường về việc công ty tiếp tục dẫn đầu trong cuộc đua bộ nhớ AI. Từ HBM3, HBM3E đến HBM4, SK Hynix đã xây dựng được khả năng giao hàng hoàn chỉnh từ sản xuất hàng loạt đến cung ứng. Việc giao mẫu HBM4E đúng hạn lần này đã củng cố thêm sự tin tưởng của các nhà đầu tư vào khả năng hiện thực hóa công nghệ của công ty.
Nhảy vọt kép về hiệu năng và hiệu suất
SK Hynix tiết lộ trong thông báo rằng, HBM4E 12 lớp đã đạt được những cải thiện đáng kể trên cả hai khía cạnh: hiệu năng và hiệu suất năng lượng.
Cụ thể, sản phẩm này có tốc độ xử lý dữ liệu tối đa đạt 16Gbps trên mỗi chân, hiệu suất năng lượng được cải thiện hơn 20% so với sản phẩm thế hệ trước. Đồng thời, HBM4E thông qua thiết kế và tối ưu hóa giao diện mới nhất, đã giảm hiệu quả độ trễ truyền dữ liệu và duy trì hoạt động ổn định trong môi trường băng thông cao. Những đặc điểm trên trực tiếp nâng cao khả năng xử lý dữ liệu trong các kịch bản huấn luyện và suy luận AI, hỗ trợ khách hàng nâng cao hiệu quả vận hành trong các trung tâm dữ liệu AI và hệ thống tính toán quy mô lớn.
Công nghệ đóng gói tiên tiến hỗ trợ dung lượng 48GB
Ở cấp độ công nghệ đóng gói, SK Hynix sử dụng công nghệ Advanced MR-MUF (Mass Reflow - Molded Underfill quy mô lớn) để đạt được dung lượng 48GB trên mỗi chip trong cấu trúc 12 lớp, đồng thời đảm bảo độ ổn định cấu trúc.
Quy trình MR-MUF bảo vệ mạch điện bằng cách bơm vật liệu bảo vệ dạng lỏng giữa các chip. SK Hynix tiếp tục tối ưu hóa trên nền tảng này, giúp điện trở nhiệt của HBM4E giảm 17% so với HBM4 thế hệ trước, từ đó đảm bảo hoạt động ổn định của chip bộ nhớ trong môi trường tính toán hiệu năng cao. Bước đột phá công nghệ này đặc biệt quan trọng đối với các trung tâm dữ liệu AI vận hành liên tục với tải cao.
Ông Ahn Hyun, Chủ tịch kiêm Giám đốc Phát triển của SK Hynix, cho biết trong thông báo: "Với năng lực công nghệ dẫn đầu thị trường và chuyên môn sản xuất, SK Hynix đã đặt nền móng vững chắc cho việc củng cố vị trí dẫn đầu trong lĩnh vực AI dựa trên HBM4E. Thông qua sự hợp tác chặt chẽ với các đối tác, chúng tôi sẽ cung cấp ra thị trường những giá trị cần thiết, đồng thời tiếp tục củng cố vị trí dẫn đầu về công nghệ với tư cách là nhà sáng tạo bộ nhớ AI toàn diện."
SK Hynix nhấn mạnh rằng, kinh nghiệm phong phú tích lũy được từ việc sản xuất và cung ứng HBM3, HBM3E và HBM4 trước đây là nền tảng quan trọng giúp mẫu HBM4E lần này được giao hàng đúng hạn. Công ty cho biết sẽ dựa vào độ tin cậy sản phẩm và khả năng cung ứng đã được thị trường kiểm chứng để hỗ trợ phát triển cơ sở hạ tầng thế hệ tiếp theo, đồng thời hỗ trợ giải quyết các điểm tắc nghẽn về hiệu năng trong hệ thống AI.
