SK Hynix ha entregado muestras de HBM4E a sus principales clientes. Esta memoria insignia apilada en 12 capas alcanza una velocidad de 16 Gbps por pin, mejora la eficiencia energética en más del 20%, reduce la resistencia térmica un 17% y ofrece una capacidad de 48 GB por chip. Tras la noticia, las acciones de la compañía se dispararon un 7,3% intradía hasta un nuevo máximo histórico, avivando las expectativas del mercado sobre su continuo liderazgo en el segmento de memoria para IA.
SK Hynix anunció la entrega de muestras de su próxima generación de chips de memoria para IA, HBM4E, a sus principales clientes, lo que impulsó sus acciones a un nuevo récord histórico.
SK Hynix indicó el jueves en su sitio web que este producto HBM4E de 12 capas apiladas alcanza una velocidad máxima de procesamiento de datos de 16 Gbps por pin, mejora la eficiencia energética en más del 20% respecto a la generación anterior y, mediante técnicas avanzadas de empaquetado, reduce la resistencia térmica un 17%. SK Hynix declaró que colaborará estrechamente con sus socios para garantizar la producción en masa oportuna del producto.
Este envío de muestras marca una nueva aceleración en la iteración tecnológica de SK Hynix en el campo de la memoria de alto ancho de banda (HBM), consolidando aún más su posición central en la cadena de suministro de infraestructura para IA y enviando una señal clara al mercado sobre su liderazgo continuo en la hoja de ruta tecnológica HBM.
Tras el anuncio, las acciones de SK Hynix subieron un 7,3% en la plataforma de negociación coreana, alcanzando un nuevo máximo histórico intradía. Esta subida refleja las fuertes expectativas del mercado sobre el continuo liderazgo de la compañía en el segmento de memoria para IA. Desde HBM3 y HBM3E hasta HBM4, SK Hynix ha establecido una capacidad de entrega completa, desde la producción en masa hasta el suministro. La entrega puntual de las muestras de HBM4E refuerza aún más la confianza de los inversores en su capacidad para materializar su tecnología.
Salto dual en rendimiento y eficiencia
SK Hynix detalló en su comunicado que el HBM4E de 12 capas logra mejoras significativas tanto en rendimiento como en eficiencia energética.
En concreto, el producto alcanza una velocidad máxima de procesamiento de datos de 16 Gbps por pin, con una eficiencia energética mejorada en más del 20% respecto al producto anterior. Al mismo tiempo, HBM4E, mediante un diseño y optimización de interfaz de última generación, reduce eficazmente la latencia en la transferencia de datos y mantiene un funcionamiento estable en entornos de alto ancho de banda. Estas características mejoran directamente la capacidad de procesamiento de datos en escenarios de entrenamiento e inferencia de IA, ayudando a los clientes a aumentar la eficiencia operativa en centros de datos de IA y sistemas de computación a gran escala.
Tecnología de empaquetado avanzado permite capacidad de 48 GB
En cuanto al proceso de empaquetado, SK Hynix emplea la tecnología Advanced MR-MUF (Mass Reflow-Molded Underfill), logrando una capacidad de 48 GB por chip en una estructura apilada de 12 capas, al tiempo que garantiza la estabilidad estructural.
El proceso MR-MUF protege los circuitos inyectando material de protección líquido entre los chips. SK Hynix lo ha optimizado aún más, reduciendo la resistencia térmica del HBM4E en un 17% respecto a la generación anterior HBM4, asegurando así el funcionamiento estable del chip de memoria en entornos de computación de alto rendimiento. Este avance tecnológico es especialmente crucial para los centros de datos de IA que funcionan bajo cargas de trabajo continuas e intensas.
Ahn Hyun, presidente y director de desarrollo de SK Hynix, declaró: "Con su capacidad tecnológica líder en el mercado y su experiencia en fabricación, SK Hynix ha establecido, basándose en HBM4E, los cimientos para reforzar su liderazgo en IA. A través de una estrecha colaboración con nuestros socios, entregaremos al mercado el valor necesario, consolidando al mismo tiempo nuestra posición de liderazgo tecnológico como creador de memoria integral para IA".
SK Hynix subrayó que la amplia experiencia acumulada previamente en la producción en masa y suministro de HBM3, HBM3E y HBM4 constituye la base fundamental que ha permitido la entrega puntual de las muestras de HBM4E. La compañía afirmó que, apoyándose en la fiabilidad de sus productos y su capacidad de suministro, validadas por el mercado, respaldará el desarrollo de la próxima generación de infraestructuras y ayudará a resolver los cuellos de botella de rendimiento en los sistemas de IA.
