2026年,马斯克宣布TeraFab芯片制造计划,并暗示可能通过自由电子激光器(FEL)技术进军光刻机领域,挑战当前由ASML垄断的EUV光刻技术。ASML的EUV光刻机采用激光等离子体光源(LPP),面临能量转换效率低、锡污染和功率瓶颈等问题。相比之下,FEL技术不依赖等离子体转换,能产生更高功率、更短波长的光,且无碎屑污染,被视为下一代光刻的潜在解决方案。 光刻技术发展呈现三条路径:ASML主导的EUV渐进式迭代仍是主流;以FEL为代表的光源革新试图绕过ASML的整机优势;以及纳米压印、电子束直写等非EUV替代方案。尽管新挑战者出现,但ASML凭借其庞大的生态和持续的技术升级(如High-NA EUV)仍占据主导地位。马斯克的入局是一场豪赌,意图以FEL技术和庞大算力需求重塑供应链,预示着光刻机市场的竞争格局可能发生变化。
marsbit2天前




