Vào ngày 4 tháng 8, tại lễ khai mạc hội nghị FMS 2026 ở California, SK Hynix cùng với SanDisk đã công bố các thông số kỹ thuật đầu tiên của HBF — công nghệ được kỳ vọng sẽ đóng vai trò lớp trung gian giữa bộ nhớ tốc độ cao HBM và các ổ lưu trữ SSD.
Các đặc điểm kỹ thuật chính của HBF:
- Dung lượng — lên đến 512 GB (trong cấu hình 8 và 16 chip NAND trên một ngăn xếp);
- Băng thông — từ ~0,4 TB/s đến 3,0 TB/s;
- Giao diện kết nối — UCIe, tiêu chuẩn mở đảm bảo khả năng tương thích với GPU và CPU của các nhà sản xuất khác nhau.
Thông số kỹ thuật được công khai thông qua Open Compute Project — cộng đồng công nghệ trung tâm dữ liệu. Điều này định vị HBF như một tiêu chuẩn mở công nghiệp rộng rãi, chứ không phải là một giải pháp độc quyền.
Sau khi HBF được công bố, các máy chủ AI hiện đại có thể sẽ có hệ thống phân cấp bộ nhớ bốn tầng:
- HBM — xử lý dữ liệu "nóng" ngay trong lõi tính toán (tốc độ cao nhất, dung lượng thấp nhất, giá thành cực kỳ cao).
- CXL — tăng tốc bộ nhớ RAM cổ điển nhờ độ trễ ở mức hàng chục đến hàng trăm nano giây, đồng thời duy trì khả năng tương thích đầy đủ với CPU/GPU.
- HBF — lấp đầy khoảng trống giữa bộ nhớ RAM và SSD. Nhờ tích hợp thông qua bus UCIe trực tiếp với bộ xử lý, các thiết bị này sẽ cung cấp tốc độ gần bằng HBM nhưng với dung lượng lớn dựa trên kiến trúc NAND giá rẻ.
- NVMe SSD — lưu trữ dữ liệu "lạnh".
Trong cơ sở hạ tầng LLM, vấn đề cốt lõi là việc lưu trữ ngữ cảnh khổng lồ và trọng số mô hình trong quá trình tính toán (suy luận):
- CXL đảm nhận các dữ liệu yêu cầu truy cập tức thời và ghi lại thường xuyên với độ trễ cực thấp;
- HBF đảm nhận việc lưu trữ bộ nhớ đệm ngữ cảnh và trọng số mô hình AI dung lượng lớn, những thứ không thể nằm trong HBM và CXL do giá thành cao và hạn chế về dung lượng của các loại bộ nhớ này.
Bức màn Silicon
Sự hợp tác giữa SK Hynix và SanDisk về tiêu chuẩn hóa HBF bắt đầu vào tháng 8 năm 2025. Liên minh được ra mắt vào tháng 2 năm 2026, với sự tham gia của Google và Tenstorrent.
Cũng tại gian hàng triển lãm FMS 2026, SK Hynix đã công bố sẽ trình diễn bộ nhớ 4D NAND 375 lớp (V10) đang trong giai đoạn phát triển. Theo công ty, hiệu suất bộ nhớ đã tăng 2,5 lần trên mỗi watt năng lượng tiêu thụ so với thế hệ trước. Sản xuất hàng loạt eSSD được lên kế hoạch vào đầu năm sau.
Theo Yahoo Finance, từ đầu năm 2026, cổ phiếu của SK Hynix đã tăng hơn 330%, tuy nhiên đã mất khoảng một nửa giá trị kể từ khi đạt đỉnh vào tháng 6.
Nhắc lại, vào tháng 7, quỹ Ashenbrenner đã mất phần lớn danh mục cổ phiếu.
end-content
