El 4 de agosto, en la apertura de la conferencia FMS 2026 en California, SK Hynix, junto con SanDisk, publicó las primeras especificaciones de HBF, una tecnología que aspira a servir como capa intermedia entre la memoria de alta velocidad HBM y las unidades SSD.
Principales características técnicas del HBF:
- Capacidad: hasta 512 GB (en configuración de 8 y 16 chips NAND por stack).
- Ancho de banda: desde ~0,4 TB/s hasta 3,0 TB/s.
- Interfaz de conexión: UCIe, un estándar abierto que garantiza compatibilidad con GPU y CPU de distintos fabricantes.
Las especificaciones están disponibles a través del Open Compute Project, la comunidad tecnológica de centros de datos. Esto posiciona al HBF como un estándar abierto para toda la industria, no como un desarrollo propietario.
Tras el anuncio del HBF, es probable que los servidores de IA modernos tengan una jerarquía de memoria de cuatro niveles:
- HBM: procesa datos "activos" directamente en el núcleo de cómputo (velocidad máxima, capacidad mínima, precio enorme).
- CXL: acelera la memoria RAM clásica gracias a latencias de decenas a cientos de nanosegundos, manteniendo la plena compatibilidad con CPU/GPU.
- HBF: llena el vacío entre la memoria RAM y los SSD. Gracias a la integración mediante el bus UCIe directamente con el procesador, los dispositivos ofrecerán una velocidad cercana a la del HBM, pero con gran capacidad basada en la arquitectura NAND de bajo coste.
- SSD NVMe: almacenan datos "fríos".
En la infraestructura de LLM, el principal problema es el almacenamiento del enorme contexto y los pesos de los modelos durante los cálculos (inferencia):
- CXL maneja los datos que requieren acceso instantáneo y reescritura frecuente con latencia ultramínima.
- HBF se encarga de almacenar las cachés de gigabytes del contexto y los pesos de los modelos de IA que no caben en HBM y CXL debido a su alto coste y limitaciones de capacidad.
Cortina de silicio
La colaboración entre SK Hynix y SanDisk para estandarizar HBF comenzó en agosto de 2025. El consorcio se lanzó en febrero de 2026 y también incluye a Google y Tenstorrent.
Además, en el stand de la FMS 2026, SK Hynix anunció la demostración de NAND 4D de 375 capas (V10), que se encuentra en fase de desarrollo. Según la compañía, el rendimiento de la memoria ha aumentado 2,5 veces por vatio de energía consumida en comparación con la generación anterior. La producción en masa de eSSD está prevista para principios del próximo año.
Según Yahoo Finance, desde principios de 2026 las acciones de SK Hynix han aumentado más de un 330%, aunque han perdido aproximadamente la mitad de su valor desde el pico alcanzado en junio.
Recordemos que en julio el fondo Ashenbrenner perdió la mayor parte de su cartera de acciones.
